微组装关键工艺设备技术

【技术领域】先进制造工艺及装备 【技术开发单位】中国电子科技集团公司第二研究所 【技术简介】该技术采用微焊接等工艺技术将各种半导体集成电路芯片和微型化片式元器件组装在高密度多层互联基板上,形成高密度、高速度、功能集成、高可靠的三维立体机构的高级微电子组件。可以将多块甚至十几块PCB板级电路简化成一个高度集成的高密度组件,是电路组件功能进一步实现系统级功能的技术。     

密码芯片电磁信息泄漏评估方法研究

基于半定制集成电路设计流程,提出一种对CMOS集成电路进行电磁信息泄漏评估的方法。该方法首先利用综合工具生成电路的门级网表,将门级网表中的普通单元替换为防护逻辑单元,然后利用电磁辐射仿真模型和电磁信息泄漏评估模型对集成电路进行电磁辐射仿真和信息泄漏分析。该方法能够在设计阶段对密码芯片的抗电磁旁路攻击能力进行评估,可提高密码芯片的设计效率,减少资源浪费。     

科研攻坚 铸强舰船“心脏”——记陕西柴油机厂加速发展舰船动力事业

如今的陕西柴油机厂与两年前相比真是两重天,工人们感慨地说,要不是厂领导班子前两年“勒紧裤腰带搞科研开发”,拿出了国家急需的新产品,企业现在还是困难户! 1998年,陕柴由于军品任务不足,民品中的拳头产品已经停产,近6000人的企业亏损5000多万元,陕柴到了无米下锅的地步。 赵建仁就是在陕柴厂成为船舶工业企业中最困难的企业之一时被任命为厂长的。临危受命,面对艰难的局面,压在赵建仁和新一届领     

加速培养造就新型军事人才

中央军委在《关于加强军队党组织能力建设的意见》中明确指出：加强军队党组织能力建设,不断提高推进中国特色军事变革、推进部队机械化信息化建设的本领,要加快实施人才战略工程,培养造就高素质新型军事人才。认真落实《意见》精神,抓紧建设一支能够适应新的形势和任务的高素质新型军事人才队伍是加强军队党组织能力建设的关键。     

美军军事决策过程

军事决策过程是军事行动过程中做出决策所应遵循的客观规律的理论总结,不仅是对指挥员主体能力的客观检验,也是对参谋等辅助决策人员军事素养的全面考核。美军经过一系列实战检验和训练实践,不断规范军事决策过程,形成了完善的决策程序,使之更加满足军事决策实战要求。文章阐述美军指挥员和参谋人员在军事决策中的职能以及军事决策的程序。针对作战时间紧迫的现实情况,对美军精简版军事决策过程和加速版军事决策过程的技术途径分别进行了解析。     

无衍射艾里光束的横向自加速特性

无衍射艾里光束的横向自加速特性使得光束在自由空间沿弯曲路径进行传输成为可能。利用一维傍轴波动方程对新型无衍射艾里光束的横向自加速特性进行了仿真研究。研究表明,当入射波长一定时,艾里光束的横向加速度大小与传播距离呈正比关系,而与任意横向尺度的大小呈反比关系。同时,利用波印廷矢量对艾里光束横向自加速的内在机理进行了研究。最后,利用通用型液晶空间光调制器对二维艾里光束的产生和横向自加速特性进行了实验研究,所得结果与仿真计算结果取得了较好的一致性。     

一种新型高精度低功耗守时芯片

以测时测距体制为基础的定位系统中,提高时间精确度是改善导航接收机性能的一个关键因素。然而,在便携或手持式导航设备中,现有的守时芯片难以在低功耗的条件下实现高计时精度。针对上述矛盾,本文提出了一种全新的守时芯片电路结构,通过直接温度补偿计时,以及低功耗连续工作和高功耗间歇突发工作相结合,实现了优于0.5ppm级别的守时精度和低于200μW待机功耗,可替换传统音叉型RTC芯片,提高便携或手持式导航设备性能。     

可靠度和费用约束下的加速老炼试验时间优化

为了提高产品实际使用可靠度,减少老炼试验和保修费用,基于效用函数研究了具有早期失效的产品在可靠度和费用约束下的加速老炼试验时间优化方法。考虑产品寿命分布参数的不确定性,利用自助法估计参数的先验分布,然后通过仿真方法获得实际使用可靠度和费用的联合效用函数。以联合效用函数值最大为优化目标建立加速老炼试验时间优化模型,得到最优的加速老炼试验时间。结合对数正态分布产品在温度应力下的加速老炼试验数值示例,阐述上述方法的应用,并对参数进行敏感性分析,结果表明提出的加速老炼试验方法不但能缩短产品的试验时间,还可以最大程度同时满足费用和可靠性的要求。     

大规模科学数据体绘制技术综述

体绘制是刻画大规模科学数据中复杂物理特征的有效途径,然而,数据量极大、特征难以捕捉等问题依然是目前体绘制研究的主要挑战。为此,研究者们从三个方面对体绘制算法进行了深入研究,以提高大规模数据体绘制的效率和效果。一方面,依托硬件通过多处理器核来分担计算,降低单处理器核所要完成的计算量,是提高体绘制效率的一个有效途径。另一方面,充分发掘数据场内在特性对三维数据场进行约简,大幅减少绘制处理数据量从而降低算法开销,也是提高体绘制效率的一个有效途径。同时,在体绘制算法中融入特征分析和特征增强方法,让复杂物理特征从数据场中突显出来,以实现对科学数据的高质量绘制。本文对国内外体绘制技术相关研究进展进行了调研、综述,并分析了不同的研究方法,最后展望了未来体绘制技术研究的可能发展方向,包括应用驱动的特征体绘制、基于特征的约简体绘制、适应硬件的体绘制多级加速以及原位智能化体绘制等。     

130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。