预警机无源定位精度对反辐射攻击效能影响

依据"杀伤链"思路和系统分析方法,分析了预警机ESM无源定位精度对"杀伤链"中反辐射攻击效能的影响。其中主要分析了预警机ESM无源定位精度对反辐射导弹导引头目标截获概率、攻击机火控瞄准成功概率和反辐射攻击单发杀伤效能的影响。在假设参数的条件下,对其影响结果进行了估算和仿真。最后,得到了预警机ESM无源定位精度对反辐射攻击效能影响的结论,提出了如何提高系统攻击效能的建议。     

舰船电子装备故障自动诊断系统设计

为了适应舰船电子装备维修保障的发展需求,结合舰船电子装备的结构和故障特点设计了一种舰船电子装备故障自动诊断系统。该系统将专家系统和模糊理论有机结合,可以提高舰船电子装备故障诊断的效率和可靠性。     

浅析世界军事电子信息装备与技术发展

军事电子信息技术已经成为引领军队信息化建设、提升武器装备作战效能的核心关键技术，推动着作战力量从机械化向信息化的转变。世界军事强国纷纷加大投入进行国防信息化建设，加速发展军事电子信息技术，研制各具特色的军事电子信息装备。     

多指标综合评估决策的一种新方法

为了解决评估决策过程中不同类型指标难以综合处理等问题,提出一种新的评估决策方法。该方法以投影技术为基础,将实数指标、区间型指标和模糊型指标综合起来,形成评估矩阵,并根据指标优劣差异对其进行规范化处理;然后通过各方案在某个指标下的评估差异值的大小确定该指标的权重,由此得出各方案在正负理想点上的投影,实现待评方案综合排序。以网络质量综合评估决策为例,对其基本原理和实施步骤进行了分析。实验结果表明:该方法是有效的,为多种类型指标综合评估决策提供了一种新思路。     

路、Ti^＊广义θ-图的成分着色

设H是一个超图（图），对于它的一个k边着色c：E（H）→{1，2，∧k}，我们记f（H，c）是由k种颜色中，由同一色类导出的子超图（子图）中所含分枝数最少的子超图（子图）的分枝数。fk（H）表示H中所有k边着色中f（H，c）的最大值，即fk（H）=maxf（H，c）。本文主要研究了路、Ti’、广义θ-图的成分着色，并得到了fi（Pn）=（n-1/k,f（Ti^＊）=[i-1/k]＋1∫k（Gθ）=2     

认知通信电子防御技术探索

为了增强通信电子防御能力,将认知无线电思想和技术应用于通信电子防御领域,将认知无线电技术和传统抗干扰技术相结合,提出了认知通信电子防御技术的概念,分析了其基本内涵和基本机理,给出了总体技术方案,探讨了认知通信电子防御中的频谱感知、频谱共享和认知引擎等关键技术,指出了认知通信电子防御技术面临的挑战。为推进通信电子防御走向认知化和智能化提供了理论参考。     

防空导弹火力单元战斗效率评估

从防空战斗的实际需求出发,结合现行防空作战运筹理论中存在的问题,提出了防空导弹火力单元战斗效率指标应包括完成射击任务概率和毁歼空中目标数量等分指标的观点,利用概率论和军事运筹等方法,分析了这两项分指标的构成要素及其相互关系,并建立了相应的评估模型,结合实例说明了模型的具体应用.     

基于预计和评估结果融合的电子装备可靠性预测方法

分析了目前获得电子装备可靠性水平的可靠性预计和评估两种方法各自的优缺点,确立了融合两种方法所得结果以解决各自方法不足的思想.基于证据决策理论,以电子装备累积故障概率作为目标集,将可靠性预计结果和评估结果分别作为两批证据对目标集进行支持.利用信息融合方法,对两个利用不同源信息得出的预计结果和评估结果进行了融合,并得到了准确、实用的可靠性预测结果.最后以某型雷达为例进行实例分析,验证此方法的可行性.     

打手机前不妨先取下眼镜

众所周知，打手机会产生电子辐射。据英国移动电话研究中心最近的一项测试证实，作为良导体，金属眼镜架不仅会导致电磁场增强，而且会将辐射导入眼部和脑部，进而损伤眼部细微血管，还可能干扰大脑正常运作，引起思维暂时混乱，甚至突然出现“思维空白”。据测定，金属眼镜架可使人对手机辐射的吸收量增加63%。据此，专家强烈建议：为了减轻电子辐射对人体的损害，打手机前不妨先取下眼镜。     

等离子体与高功率微波相互作用中电子分布特性

电子数密度是表征等离子体物理特性的一项重要因素,在等离子体与高功率微波的相互作用中,等离子体对入射电磁波的吸收、衰减和屏蔽等电磁特性可通过电子数密度的变化进行表征。基于等离子体流体近似研究方法,利用COMSOL软件求解等离子体中的波动方程、电子传递方程和重粒子传递方程,计算分析了等离子体与高功率微波相互作用中的电子分布特性,重点分析了相互作用中平均电子数密度和平均电子能的数值和空间分布变化过程。研究表明,在高功率微波作用下,等离子体区域电子数密度在数值上会产生剧烈的阶跃变化,形成雪崩效应,在空间分布上电子数密度峰值产生趋于入射方向移动的变化;电子能的变化与入射波激励和电子数密度相关,随入射激励增加呈增长趋势,随电子数密度的增加而减小。