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181.
有限水深Kelvin源格林函数及其导数的快速计算 总被引:1,自引:0,他引:1
应用线性船舶水动力学理论,将有限水深Kelvin移动兴波源格林函数分解成3部分:简单Rankine源集合、局部扰动项和波函数项。对各部分在亚临界和超临界航速时的快速计算分别作了讨论,其中对计算费时的局部扰动项采用了复数中的最陡下降积分法,加快了计算速度,进而引出各部分偏导数的计算。最后,比较了格林函数的差分值与偏导数值,计算了薄船兴波阻力与表面兴波,讨论了不同面元网格划分的收敛性,证实了亚临界、超临界航速兴波分别以横波、散波为主。 相似文献
182.
声纳的探测误差模型是声纳仿真的核心技术。针对现有的声纳误差白噪声模型仿真逼真度低的问题,提出了基于贝叶斯混合源分离方法,建立了声纳的探测误差模型,提高了声纳误差模型的性能。与传统的白噪声仿真方法相比,基于贝叶斯混合源分离方法的声纳误差仿真模型具有较好的逼真度,可以有效地对声纳探测误差进行建模和预测。 相似文献
183.
近年来,随着国防和军队全面深化改革的深入推进和装备建设的快速发展,装备价格管理工作的重要性不断提升,但军队目前承担的装备审价任务日趋繁重,存量不减、增量日增等新情况和新问题给装备价格管理工作带来了新挑战。本文以单一来源同类装备为研究对象,借鉴《军品定价议价规则(试行)》中竞争议价和征询议价不审价的原理,从单一来源同类装备价格的形成主体、装备审价任务量、装备价格的测算方法、装备价格的形成过程以及装备价格的影响因素等五个方面分析了价格形成机制存在的问题,并从主观因素和客观因素两方面探讨了存在问题的原因,提出应在明确价格形成主体的职能权限、科学确定价格的测算方法、完善价格法律法规、建设价格数据平台、加强价格人才队伍建设等方向优化单一来源同类装备价格形成机制的对策建议。 相似文献
184.
物体表面反射光由镜面反射光和漫反射光组成,针对光滑物体表面镜面反射光和漫反射光的分离问题,建立了一个结合镜面反射和漫反射共同作用的偏振态表征模型,并使用该模型对混合反射区域偏振特征进行分析。基于镜面反射光和漫反射光的偏振特征,根据镜面反射光和漫反射光在光滑物体表面垂直方向及平行方向上的分布关系,采用偏振正交分解的方法实现了镜面反射成分和漫反射成分的求解。利用镜面反射光图像和漫反射光图像之间的相关性,通过梯度下降算法得到镜面反射成分和漫反射成分归一化互相关最小值及其对应的镜面反射偏振度和漫反射偏振度,从而实现反射光的分离。通过对不同场景中获取的反射光图像进行测试,实验结果表明,该算法具有较好的反射光分离效果。 相似文献
185.
针对实际超低频接收机不仅受非高斯噪声的影响,还受接收机内部和外部环境中高斯噪声影响的问题,对噪声采用非高斯分布和高斯分布的混合模型建模,根据混合模型的性质,设计了一种利用马尔可夫链蒙特卡洛方法的超低频信号码元盲检测算法。盲检测算法在贝叶斯层次模型下,采用Gibbs抽样和M-H抽样更新参数,同步估计信道衰落系数和噪声模型参数,并实现对信号码元的检测。算法迭代效率快、精度高。通过与最优检测算法性能比较,盲检测算法性能优异,对超低频信号接收具有重要的现实意义。 相似文献
186.
介绍和分析了几种等离子体微波器件中等离子体源,重点讨论了紧凑型氢等离子体枪的设计及其驱动电路。 相似文献
187.
战术导弹级间线分离探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
级间分离有点分离和线分离两类技术手段;线分离的优点很多,已日益广泛地应用于战略导弹中,并有逐步代替点分离的趋势。然而迄今为止,这种先进的技术还很少应用于战术导弹。分析了原因,提出了解决办法;论述了各种线分离装置的“饼式”结构图及其设计要领。 相似文献
188.
对弹药在长期贮存过程中其发射药剩余能量的变化情况进行了研究。首先建立了箱装弹药中发射药放热规律的数学模型 ,然后利用数值模拟的方法计算了其在贮存过程中的剩余能量 ,最后对计算结果进行了分析与讨论 相似文献
189.
为了提高线式爆炸分离装置的安全性,本研究基于扩展有限元法,通过创建二维和三维动态裂纹扩展模型,探索了线式爆炸分离装置在爆轰波作用过程中的动态裂纹扩展和止裂机理。研究表明,分离壳体的裂纹扩展路径独立于裂纹初始角度;不考虑载荷时序时,二维和三维动态裂纹扩展的主方向分别沿着分离壳体的径向和环向;考虑载荷时序时,受不同区域应力波的联合作用,三维裂纹沿环向扩展的同时会沿着轴向扩展,但裂纹的扩展均不会影响到止裂槽以外的结构。所提方法和相应结论可为线式爆炸分离装置设计提供参考。 相似文献
190.
为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜。 相似文献