基于TVD思想的高阶迎风紧致格式

紧致格式具有模板紧凑、精度高的特点,然而直接应用该格式捕捉激波会产生虚假振荡。解决该问题有多种思路,本文着重研究基于TVD思想的紧致方法。首先推导了两种5阶迎风紧致格式,并采用Fourier分析比较其耗散与色散特性。然后,采用保单调保精度方法和限制器两种不同的TVD方法,进行算例验证。计算结果表明,应用TVD方法后,格式对激波、接触间断分辨率好且鲁棒性增强,但不同的TVD方法仍存在精度降低、耗散不足等问题。     

激波对密度间断层干扰及界面效应的数值模拟

运动激波在密度间断层传播时 ,引起密度分界面的变形 ,相应激波形状发生改变。以高密度层为例 ,采用TVD格式模拟这一过程 ,并与半解析解比较分析 ,初步讨论了激波对高密度层干扰作用引起高密度层的上扬和高密度层内激波与壁面的反射现象     

平面运动激波绕障碍物流动的非结构Euler解

用三角形非结构网格及有限体积法求解Euler方程 ,对运动激波跨越不同截面形状的二维障碍物绕流进行了数值模拟。计算结果给出了不同时刻各流场的复杂结构 ,该结构与实验结果一致。计算表明用非结构算法模拟复杂外形绕流具有简单、准确的特点 ,并能避免尖角处非物理结果的产生     

三维超声速隔离段湍流内流场旋涡结构的数值模拟

从基于雷诺平均的N S方程出发 ,采用有限体积方法离散控制方程 ,数值模拟了三维超声速隔离段湍流内流场。计算中采用了二阶OC TVD差分格式、LU隐式算法和Baldwin Lomax代数湍流模型。数值结果与实验做了对比 ,并结合隔离段中的激波串结构分析了其横截面上旋涡结构的发展过程及不同外形条件下旋涡的不同结构。计算结果表明采用本文发展的方法模拟隔离段湍流流场是可行的 ,截面为正方形与长方形的隔离段内的涡旋结构截然不同     

冲击波活化热压烧结氮化硅粉末

对Si3 N4粉末实现了三种不同压力的冲击波预先处理 ,而后采用三种不同的热压烧结条件制得Si3 N4陶瓷。运用SEM ,TEM ,HRTEM和XRD等手段分析了粉末和陶瓷的结构特性 ,同时测试了材料的性能。结果表明 :冲击波压力没有导致Si3 N4粉末的相变 ,TEM观察表明Si3 N4晶粒中有大量的位错及位错群 ,冲击波的作用主要是通过引入大量位错和其他缺陷促进致密化过程 ,提高陶瓷材料的机械性能。经过40GPa冲击波活化 1 80 0℃热压烧结的Si3 N4陶瓷性能最好 ,弯曲强度达 1 1 0 7.2MPa ,断裂韧性达 1 2 .2 0MPa .m1/2 。     

带电粒子束自生力对束流扩散的影响

带电粒子束由于受到静电斥力作用 ,它在传输时总是扩散的。本文根据相对论的罗仑兹变换以及牛顿运动定律 ,研究了带电粒子束在其自生空间电荷力作用下通过外层空间的真空中传输时的扩散现象 ,得出了粒子束传输的扩散方程 ,提出了一种计算粒子束扩散半径的方法。然后讨论了影响粒子束传输的各种因素 ,包括粒子束类型、能量、束流、出口初始束半径以及散角等。最后从传输技术角度指出了宜选择高能小流初始半径大的电子束 ,研究结果不仅同国外研究相符合 ,而且将为研究粒子束传输技术提供科学依据。     

圆柱壳体内 X 射线热击波的二维力学计算

依据二维流体弹塑性模型及二维断裂处理方法,研究Ｘ射线热击波在圆柱壳体内的传播规律。计算结果揭示了圆柱壳体内热击波的一些二维效应。     

碳化钨及其混合物的冲击 Hugoniot数据计算

计算了多孔碳化钨（初始密度分别为密实碳化钨密度的９５％、８５％、７５％和６５％）在不完全压实状态和完全压实状态下的Ｐ_１－Ｖ_１曲线和Ｃｓ－Ｕ１曲线以及碳化钨／碳、碳化钨／碳化硅混合物（碳化钨含量分别为３％,５％,１０％）的Ｐ_１－Ｖ_１曲线和Ｃ_ｓ－Ｕ_１曲线。     

雷电冲击波的模拟

在对雷电的标准波形和它的频谱特性进行分析的基础上,讨论了一种由冲击波发生器和平行板传输线系统组成的雷电冲击波模拟装置,初步实验研究表明,用这种装置能够实现对雷电冲击波的实验室模拟。     

烧蚀材料对辐射烧蚀驱动的Richtmyer Meshkov不稳定性影响

在惯性约束聚变靶丸内爆过程中,辐射烧蚀所产生的冲击波经过带有扰动的界面时,会触发Richtmyer-Meshkov不稳定性。惯性约束聚变内爆靶丸一般使用掺杂的CH塑料或者掺杂的Be材料作为烧蚀层,为了探索Be和CH塑料烧蚀层对Richtmyer-Meshkov不稳定性抵抗能力,对界面预制单模正弦扰动的双层靶中Richtmyer-Meshkov不稳定性发展过程进行了理论分析与数值模拟。理论分析认为Richtmyer-Meshkov不稳定性线性增长率和X射线辐射温度、界面扰动波长、扰动振幅以及烧蚀层密度有较大关系。使用辐射流体力学程序对辐射温度高达100 eV的黑体谱X射线烧蚀界面带有扰动的双层靶进行了模拟。模拟结果表明,在相同的辐射烧蚀条件下,CH塑料/泡沫(CH/Foam)靶界面扰动增长比Be/Foam快,密度较大的Be对Richtmyer-Meshkov不稳定性具有更强的抵抗能力。该研究结果对惯性约束聚变内爆靶丸的设计具有重要的参考价值。