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本文提出了一个适用于小信号非线性分析的 MOS 运算放大器模型。该模型基于Volterra-Wiener 泛函级数,包含了由于运放的 Slew-rate 引起的非线性。用本文的模型对两个有源滤波器进行了分析和实测,分析的数据与实测数据吻合很好,结果表明本文提出的模型优于以往提出的模型。 相似文献
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史书田 《海军工程大学学报》1992,(3)
本文从应用角度出发,对集成运算放大器主要参数引起的运算误差,进行了深入的研究。在分析方法上采用先研究单项参数对误差的影响,然后对各单项误差进行综合,得到一般表达式。最后,给出明确的结论和补偿方法。 相似文献
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采用粒子模拟软件,建立了冷阴极发射实心束的高阻抗相对论速调管放大器模型。该模型由1个带屏蔽环的二极管,5个简单药盒型谐振腔和1个锥形收集极构成。为了给具有高效率的高阻抗相对论速调管提供实心束,同时实现设备的简单化和紧凑化,采用冷阴极取代传统的热电子枪,不仅易操作而且大大降低能耗和经费。在传统二极管阴极侧面引入屏蔽环,利用屏蔽极大地提高电子束阻抗,同时屏蔽环的位置和形状能明显降低非发射区的场强,并且有效改善阴极端面发射的均匀性。在束波互作用区,通过依次调节末前腔和输出腔的位置并结合导引磁场的大小对输出的微波进行优化,结果表明:在二极管发射电压525k V、电流328A的实心束及外加磁场0.35T的条件下,当注入功率为1k W时,在11.424GHz的中心频率处获得了功率81MW,效率47%,增益49d B的微波。 相似文献
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为提升E-PHEMT微波宽带放大器的抗静电能力,在分析放大器3个端口电路结构的基础上,兼顾静电保护效果、电路尺寸、微波特性与被保护电路的有机结合,提出基于PIN二极管作为基本组成元件的微波宽带放大器静电保护电路的设计方法和思路,并研制出实物样品.通过试验对比放大器改进前后的电性能和抗静电能力,其结果表明:改进后样品的微波特性满足规范要求、抗静电能力由500V提高到2 000V.该设计方法和思路在保障放大器电特性的基础上,提升了放大器的抗静电能力. 相似文献
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片内直流电压信号摆幅较小,且受到CMOS工艺中被动器件一致性较差、易被高频交流信号干扰等因素的影响,采用典型的比例放大电路难以放大这类信号.为此提出了一种基于“载频”的“电压→频率→电压”放大方法,使用载波信号作为片上长距离传输的信号,将易受到干扰的直流信号局部化,利用前馈补偿技术构建了具有高度线性转换关系的“电压→频率”调制电路,采用具有较高线性度的频率解调电路实现后级电压信号的解调,有效地放大片内直流电压信号.电路仿真结果表明,所提出的放大器电路能有效地放大片上电压信号,直流电压增益为2.4. 相似文献
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基于运算放大器能实现信号的加减运算这一基本原理,应用单片机控制检测技术,研究运放工作性能离线自动检测方案.利用本方案实现的检测仪器可以提高装备的维修效率. 相似文献
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信息社会的发展对通信速率的要求不断提高,而光纤通信技术是极有可能满足未来高速通信需求的途径之一。在强烈需求背景的推动下,高速光纤通信技术的发展日新月异,新的技术不断涌现。本文总结了当前高速光纤通信中波分复用技术(WDM)、江纤放大器技术(OFA)、光时分复用技术(OTDM)、非零色散位移光纤(NZDF)技术的基本原理、新研究进展和未来发展趋势,并进一步指出,光纤传输损耗问题阴着光纤放大器广泛应用得 相似文献