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采用MCNP4B软件中的光子电子耦合输运程序对大气层核爆(爆高在30km以上)产生的X射线光子(能量主要集中在几十keV)与硅半导体探测器作用过程的仿真研究,为星载核爆X射线探测器的参数优化设计提供参考,并给出MC方法仿真的基本工作原理。 相似文献
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半导体光催化剂负载技术评述 总被引:1,自引:0,他引:1
从载体材料和半导体光催化剂的负载方法2方面对半导体光催化剂负载技术进行了评述. 相似文献
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给出了用于微电子化剂量仪的半导体探测器的剂量特性,研究工作表明:该探测器可以和微电子化电路结合,并在常温低偏压(1-3V)下工作,且其灵敏度可在68-316cps/(R/h)之间变化,对微电子化剂量仪中电子线路的设计,奠定了基础。 相似文献
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通过分析影响深孔直线度的因素、深孔的弯曲形状,以及深孔直线度测量仪器所要求的技术指标,建立了以半导体激光器、PSD和自动定心装置等器材为主的空间深孔直线度检测数学模型,设计了测量空间直线度模型样机的机械、光学、电路等部分,编写了采集数据和计算直线度的软件系统;通过对模型误差和精度的计算,结果表明可以达到较高的精度. 相似文献
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用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行了测量.光吸收谱线有明显的量子尺寸效应.PL谱中出现2个发光峰.用PLE谱在光吸收谱的低能侧峰附近探测,发现光吸收谱的低能侧峰附近存在2个峰,其能量间距随着量子点半径的增大而减小,说明了光吸收谱的低能侧峰存在亚结构.证明了PL谱中低能侧峰为缺陷态发光,该峰的PLE谱线说明了该峰的发光来源于1S3/2-1se和2S3/2-1se2能态的电子,甚至更高能态电子的弛豫. 相似文献
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峨嵋半导体材料厂(所)是我国20世纪60年代内迁三线建设的第一家从事半导体材料科研、试制、生产相结合的大型国有企业。自1965年成立以来至今已具有40多年为军工配套服务的历史,累计完成军工试制项目600余项,目前已形成了高纯材料和半导体硅材料二大系列军工配套产品。多年来,依托军工配套项目的建设,增强了厂(所)的综合实力,提高了产品的核心竞争力,2006年厂(所)销售收入达到1.95亿元,创造了历史新高。 相似文献