透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性

透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器,是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础,综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程,介绍和分析了器件结构及其工作原理,建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件,完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段,器件光电流随栅极电压的增大而增大,表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下,器件的内部量子效率在中短波长(400nm,450nm,530nm,600nm)的光辐射下,可达到96%以上,甚至接近100%。短波长下(280nm,350nm),量子效率最大值近80%。此外,器件的暗电流很低,光暗电流之比超过106,具有高灵敏度。     

树脂浸渍裂解对气相硅反应渗透C/SiC的影响

粘胶基碳纤维毡经过CVD工艺进行沉积碳增密处理后,采用酚醛树脂浸渍—裂解对C/C素坯的密度进行调节,通过气相硅渗透反应工艺制备了C/SiC复合材料。研究了树脂浸渍—裂解对C/C素坯密度和气孔率的影响规律,分析了树脂裂解碳对C/SiC显微形貌和力学性能的影响。结果表明:随着树脂浸渍—裂解循环次数的增加,素坯密度增加,孔隙率降低;裂解碳含量为27wt%时,C/SiC复合材料的强度和模量达到最大,分别为231MPa和209GPa。通过控制裂解碳含量,可以实现对C/SiC复合材料力学性能和微观结构的裁剪。     

磁悬挂天平五自由度位置传感器的数学分析

磁悬挂平天的位置传感器具有一定的特殊性,它需要同时获取被悬挂的飞行器模型的多自由度位置分量。本文对这一问题进行了研究,并讨论了其工程实现问题。     

硅整流无刷发电机供电系统动态性能的研究

分析了坦克的供电系统中采用硅整流无刷发电机时的工作特点,建立了这种系统的数学模型,举例说明了计算方法,并在文章的最后进行了评价.     

二甲基硅二苯基硅共聚物的紫外光谱研究

本文研究了二甲基硅二苯基硅共聚物(P(DMS-CO-DPS))的紫外光谱。文中得到了共聚物主链Si-Si 链最大紫外吸收波长及摩尔吸收系数与其分子量的定量关系;发现共聚物在高浓度(约大于0.03g/1)的条件下,在λ=325nm 处有一位置不变,吸收大小与共聚物分子量、浓度有关的吸收。     

可溶性二甲基硅二苯基硅共聚物的合成

本文研究了用二甲基二氯硅烷和二苯基二氯硅烷的混合物与金属钠反应,制取可溶性的二甲基硅二苯基硅共聚物。结果表明:共聚物产率随两单体配比的接近而增大,分子量随二苯基二氯硅烷含量的增大而减小;单体配比相近时,反应时间基本上不影响共聚物的分子量硬组成含量,但在反应初期共聚物产率随时间而增加;反应温度对共聚物产率、分子量基本上无影响;共聚物呈无定型非晶态结构。     

活性粉末混凝土200（RPC200）的配制试验研究

进行了活性粉末混凝土(RPC)的配制试验,通过5批试件分别探讨砂灰比、石英粉、硅灰、水胶比和钢纤维等因素单值变化时对RPC流动度以及抗折强度、抗压强度的影响.研究表明:在常规制作工艺条件下,配制出抗压强度和抗折强度分别为145.6 MPa和26.68MPa的无纤维RPC;当钢纤维含量为6%时,RPC的抗压强度和抗折强度分别达到了201.3MPa和73.67 MPa.     

物体表面的VX和HS的采样方法研究

叙述了物体表面的ＶＸ和ＨＳ（芥子气）的采样方法。对铲漆法、浸泡法、活性硅胶纸片吸附法和棉花球擦试法之间的相关性进行了探讨。其中,活性硅胶纸片吸附法是一种新的采样方法。     

混杂聚硼硅氮烷的交联过程分析及其工艺优化

合成了混杂聚硼硅氮烷(H-PBSZ)并对其结构进行了分析,分析了其交联过程,并采用不同的工艺使其交联固化,研究了交联压力对产物的结构、形貌以及表观密度的影响。结果表明,H-PBSZ结构中含有B-N、Si-N、B-H、N-H以及Si-H等化学键,随着温度的升高,B-H、N-H以及Si-H键会发生断裂;交联过程中,先驱体会放出大量的气体,交联产物的致密度受气泡大小及其速度的影响;高压交联可以减小所放出的气泡的体积,减缓其上升的速度,并可抑制含氢键的断裂反应,降低气体的放出量,从而制得较高致密度的交联产物。