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| 22 nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域 | |
| 作者姓名： | 张博翰 梁斌 刘小年 方亚豪 |
| 作者单位： | 1.国防科技大学计算机学院,湖南长沙 410073;2.湖南师范大学物理与电子科学学院,湖南长沙 410081 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61974163) |
| 摘 要： | 基于 3D-TCAD 模拟,研究了 22 nm 全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域.对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释.深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因.而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因.修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导. |
| 关 键 词： | 单粒子瞬态 电荷收集 双极放大效应 敏感区域 全耗尽型绝缘体上硅 |
| 收稿时间： | 2021-12-24 |
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