| 体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性研究 |
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| 作者姓名： | 文溢 陈建军 梁斌 池雅庆 邢海源 姚啸虎 |
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| 作者单位： | 国防科技大学计算机学院,国防科技大学计算机学院,国防科技大学计算机学院,国防科技大学计算机学院,国防科技大学计算机学院,国防科技大学计算机学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(61974163);国防科技大学高层次创新人才培养计划项目(4142D125106,434517212306) |
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| 摘 要： | 在65nm和28nm体硅CMOS工艺下分别设计实现了一款带隙基准(bandgap reference, BGR)试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现当脉冲激光能量足够高时,BGR的输出电压显著增加,且退火后电压不能恢复,表明BGR发生了单粒子硬损伤(single-event hard damage, SHD),进一步的试验研究证明BGR中的三极管(bipolar junction transistor, BJT)是诱发SHD的敏感器件。该研究为在体硅CMOS工艺下对BGR进行抗SHD加固设计提供了重要理论参考。
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| 关 键 词： | 带隙基准(BGR) 单粒子硬损伤(SHD) 脉冲激光试验 CMOS工艺 |
| 收稿时间： | 2022-04-02 |
| 修稿时间： | 2024-07-11 |
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