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利用脉冲激光的片上系统芯片单粒子效应试验
引用本文:胡春媚,陈书明,吴振宇,宋睿强,池雅庆.利用脉冲激光的片上系统芯片单粒子效应试验[J].国防科技大学学报,2017,39(2):134-139.
作者姓名:胡春媚  陈书明  吴振宇  宋睿强  池雅庆
作者单位:国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院
基金项目:国家自然科学基金项目:61434007, 61376109 ,61504169
摘    要:为评估脉冲激光试验对研究SoC(片上系统芯片)单粒子效应的有效性,构建了一个65 nm SoC的脉冲激光试验系统,并进行了试验。提出并采用坐标定位法、有源区聚焦法、ΔZ补偿法等针对大规模倒装焊集成电路的试验方法。对SoC的片上存储器、寄存器文件、RapidIO、DICE触发器等部件进行了脉冲激光试验和分析。结果表明:片上存储器对脉冲激光最为敏感,部件的激光试验与相应的重离子试验现象吻合,利用脉冲激光试验可有效研究纳米工艺下大规模集成电路的单粒子效应。

关 键 词:脉冲激光  单粒子效应  聚焦平面  单粒子翻转  单粒子功能中断
收稿时间:2015/9/9 0:00:00
修稿时间:2016/1/11 0:00:00

Single event effect experiment on SoC using pulsed laser
HU Chunmei,CHEN Shuming,WU Zhenyu,SONG Ruiqiang and CHI Yaqing.Single event effect experiment on SoC using pulsed laser[J].Journal of National University of Defense Technology,2017,39(2):134-139.
Authors:HU Chunmei  CHEN Shuming  WU Zhenyu  SONG Ruiqiang and CHI Yaqing
Abstract:
Keywords:pulse laser  single event effect  focusing plane  single event upset  single event function interrupt
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