| 180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素 |
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| 引用本文： | 秦军瑞,陈书明,陈建军,梁斌,刘必慰.180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素[J].国防科技大学学报,2011,33(3):72-76. |
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| 作者姓名： | 秦军瑞 陈书明 陈建军 梁斌 刘必慰 |
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| 作者单位： | 国防科技大学计算机学院,湖南长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，高等学校博士点基金资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了影响SEL敏感性的关键因素.针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响.模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位...
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| 关 键 词： | 单粒子闩锁 器件模拟 设计加固 |
| 收稿时间： | 2010/11/1 0:00:00 |
Key Factors of Single Event Latch-up in 180nm CMOS Technologies |
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| QIN Junrui,CHEN Shuming,CHEN Jianjun,LIANG Bin and LIU Biwei.Key Factors of Single Event Latch-up in 180nm CMOS Technologies[J].Journal of National University of Defense Technology,2011,33(3):72-76. |
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| Authors: | QIN Junrui CHEN Shuming CHEN Jianjun LIANG Bin and LIU Biwei |
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| Institution: | (College of Computer,National Univ.of Defense Technology,Changsha 410073,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single event latch-up TCAD reinforcement by design |
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