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基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现
引用本文:赵振宇,邓全,李鹏,蒋剑锋,曲连华,唐皓月.基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现[J].国防科技大学学报,2016,38(5).
作者姓名:赵振宇  邓全  李鹏  蒋剑锋  曲连华  唐皓月
作者单位:国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院
基金项目:国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
摘    要:基于3D-IC技术实现的3D SRAM,其电路中使用了大量的TSV。目前TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路或短路故障,从而给3D SRAM的测试带来新的挑战。现有的2D BIST测试方式能够探测到3D SRAM中存在的故障,但并不能判定是TSV故障还是存储器本身故障;TSV专用测试电路虽然能够探测出TSV的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计复杂度。基于此,本文提出了一种使用测试算法来探测TSV开路故障的方法,在不使用TSV专用测试电路且不增加额外面积开销的情况下通过BIST电路解决3D SRAM中TSV的开路故障检测问题。结果显示该TSV测试算法功能正确,能够准确探测到TSV的开路故障,并快速定位TSV的开路位置。

关 键 词:3D-IC  TSV  开路故障  测试  算法

The Research and Implementation of TSV Open Test Algorithm in 3D SRAM Based on BIST
Abstract:
Keywords:3D-IC  TSV  open defects  test  algorithm
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