MOS存贮器双极读写电路

MOS存贮器发展迄今已有十多年历史。目前国外在数字计算机中MOS存贮配,而器已被人们广泛地采用。目前有两种形式,一种为了获得更高速度,并且与双极逻辑电路相匹采用了双极互补型边界电路;另一种主要是为了进一步提高集成度(相应的也能提高速度),而采用了全MOS边界电路。本所于1968年与北京地质仪器厂共同研制的MOS存贮器,系采用双极型边界电路。本文介绍一种MOS存贮器双极读写电路的工作原理、主要参数设计和运行情况,以及读写电路组件化工作。至于文中所引用到的有关MOS存贮组件的内容,参见文献。