| 反应法制备SiC涂层组成与结构 |
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| 作者姓名： | 张玉娣 张长瑞 周新贵 曹英斌 李俊生 |
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| 作者单位： | 国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家部委资助项目(41312011002) |
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| 摘 要： | 采用反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC致密涂层,利用XRD分析涂层的组分及晶体结构,利用扫描电镜及金相显微镜观察涂层的断口及表面形貌,并对涂层形成过程进行了分析。结果显示:涂层主要由SiC及少量的游离Si组成,致密不开裂的SiC涂层与C/SiC复合坯体之间有很好的梯度过渡结构;相反,涂层与坯体之间如果没有形成过渡层,涂层会因热残余应力过大而开裂;反应法制备不开裂SiC涂层与CVDSiC涂层有很好的热匹配性,同时在其表面制备的CVDSiC涂层无点缺陷。
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| 关 键 词： | 碳化硅涂层 反应法 微观结构 匹配 |
| 文章编号： | 1001-2486(2005)01-0016-04 |
| 收稿时间： | 2004-09-13 |
| 修稿时间： | 2004-09-13 |
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