| 核电磁脉冲环境下“后门”耦合效应的仿真分析 |
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| 引用本文： | 谢鹏浩,谭志良,张荣奇.核电磁脉冲环境下“后门”耦合效应的仿真分析[J].军械工程学院学报,2007,19(5):34-37. |
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| 作者姓名： | 谢鹏浩 谭志良 张荣奇 |
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| 作者单位： | 谢鹏浩（军械工程学院弹药工程系,河北,石家庄,050003）;谭志良（军械工程学院弹药工程系,河北,石家庄,050003）;张荣奇（军械工程学院弹药工程系,河北,石家庄,050003） |
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| 摘 要： | 利用电磁仿真软件FEKO建立设备模型和典型核电磁脉冲环境,来研究某型电子设备的电磁耦合规律.研究表明当频率为300 MHz时,后门窗口耦合明显,强度大致为原场强度的5倍,观察窗的耦合作用基本呈现于x=23 m和x=24.8 m,耦合强度为原场强度的2～3倍;设备本身工作频率上耦合强度较弱,初步表明其自身兼容性较好;受到内部设备的影响,底部开口附近的电磁耦合场非对称化;设备内部空腔区域的变化使得谐振频率发生变化,造成实验中2种情况的明显差异.
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| 关 键 词： | HEMP "后门"耦合 电子设备 |
| 文章编号： | 1008-2956(2007)05-0034-04 |
| 修稿时间： | 2007年6月14日 |
Simulation Analysis on Typical Back-door Coupling Effect in HEMP Environment |
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