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FPGA静电电磁脉冲辐照效应试验研究
引用本文:臧扬,刘文冰,魏明,路潇.FPGA静电电磁脉冲辐照效应试验研究[J].军械工程学院学报,2005,17(5):26-28.
作者姓名:臧扬  刘文冰  魏明  路潇
作者单位:军械工程学院静电与电磁防护研究所,军械工程学院静电与电磁防护研究所,军械工程学院静电与电磁防护研究所,军械工程学院训练部 河北石家庄050003
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(50237040)
摘    要:根据国际电工委员会IEC61000-4-2标准,利用ESS-200AX型ESD模拟器,选用人体-金属模型,测试静电电磁脉冲(ESD EMP)对FPGA的影响,并针对试验结果对故障原因进行分析。试验结果表明:FPGA集成电路抗静电电磁脉冲能力较强,当在FPGA集成电路周围的静电放电电压达到13 kV时,静电电磁脉冲将破坏SRAM的查找表中的数据,致使FPGA功能性损坏,但重新加电可恢复正常。

关 键 词:静电  电磁脉冲  FPGA  辐照效应
文章编号:1008-2956(2005)05-0026-03
修稿时间:2005年8月26日

Research on the Irradiation Effect Experiments of ESD EMP to FPGA
ZANG Yang,LIU Wen-bing,WEI Ming,LU Xiao.Research on the Irradiation Effect Experiments of ESD EMP to FPGA[J].Journal of Ordnance Engineering College,2005,17(5):26-28.
Authors:ZANG Yang  LIU Wen-bing  WEI Ming  LU Xiao
Institution:ZANG Yang~1,LIU Wen-bing~1,WEI Ming~1,LU Xiao~2
Abstract:According to IEC61000-4-2,the influence of ESD EMP on FPGA has been studied by ESS-200AX ESD simulator with human body metal model,and we analyze the reason of trouble.The result of experiment shows that ESD EMP will damage the date of Look-Up-Table in SRAM and make FPGA function scathe when voltage of static discharge around FPGA integrate circuit reaches 13kV,but the function of FPGA can resume if the circuit restarts power supply.
Keywords:electrastatic  EMP  FPGA  irradiation effect  
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