| 130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计 |
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| 引用本文： | 常永伟,余超,刘海静,王正,董业民.130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计[J].国防科技大学学报,2020,42(3):17-21. |
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| 作者姓名： | 常永伟 余超 刘海静 王正 董业民 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050;中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 中科院重点部署资助项目(KGFZD-135-16-015) |
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| 摘 要： | 针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。
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| 关 键 词： | 集成电路 抗辐射 绝缘体上硅 控制芯片 |
| 收稿时间： | 2018/11/28 0:00:00 |
Design of radiation-tolerant controller chip in 130 nm hardened SOI process |
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| CHANG Yongwei,YU Chao,LIU Haijing,WANG Zheng,DONG Yemin.Design of radiation-tolerant controller chip in 130 nm hardened SOI process[J].Journal of National University of Defense Technology,2020,42(3):17-21. |
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| Authors: | CHANG Yongwei YU Chao LIU Haijing WANG Zheng DONG Yemin |
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| Institution: | State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | integrated circuits radiation-tolerant silicon-on-insulator controller chip |
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