应用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究 |
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引用本文: | 郑春满,刘相,谢凯,韩喻.应用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究[J].国防科技大学学报,2016,38(3):107-111. |
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作者姓名: | 郑春满 刘相 谢凯 韩喻 |
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作者单位: | 国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073,国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073,国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073,国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073 |
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基金项目: | 湖南省自然科学基金资助项目(10JJ4045);国防科技大学校预研基金资助项目( JC08-01-06) |
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摘 要: | 以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备Si-O-C材料,利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备多孔的Si/Si-O-C负极材料。利用X射线衍射、能谱分析、元素分析和场发射扫描电镜分析多孔Si/Si-O-C负极材料的组成、结构、形貌,从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料的机理。结果表明,镁金属在还原过程中生成MgO和Mg_2SiO_4等产物,经HCl洗涤后可形成多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C材料中的单质硅分布于多孔的Si-O-C相中,一定程度上可缓解Si在循环过程中产生的体积效应。利用镁金属还原Si-O-C材料制备多孔Si/Si-O-C材料是一种可行的制备方法。
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关 键 词: | Si/Si-O-C负极材料 镁金属 还原 机理 |
收稿时间: | 2015/3/30 0:00:00 |
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