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应用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究
引用本文:郑春满,刘相,谢凯,韩喻.应用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究[J].国防科技大学学报,2016,38(3):107-111.
作者姓名:郑春满  刘相  谢凯  韩喻
作者单位:国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073,国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073,国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073,国防科技大学 航天科学与工程学院, 湖南 长沙 410073
基金项目:湖南省自然科学基金资助项目(10JJ4045);国防科技大学校预研基金资助项目( JC08-01-06)
摘    要:以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备Si-O-C材料,利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备多孔的Si/Si-O-C负极材料。利用X射线衍射、能谱分析、元素分析和场发射扫描电镜分析多孔Si/Si-O-C负极材料的组成、结构、形貌,从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料的机理。结果表明,镁金属在还原过程中生成MgO和Mg_2SiO_4等产物,经HCl洗涤后可形成多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C材料中的单质硅分布于多孔的Si-O-C相中,一定程度上可缓解Si在循环过程中产生的体积效应。利用镁金属还原Si-O-C材料制备多孔Si/Si-O-C材料是一种可行的制备方法。

关 键 词:Si/Si-O-C负极材料  镁金属  还原  机理
收稿时间:2015/3/30 0:00:00
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