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不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究
引用本文:范真祥,程海峰,张长瑞,唐耿平.不同裂解温度对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能研究[J].国防科技大学学报,2004,26(5):13-17.
作者姓名:范真祥  程海峰  张长瑞  唐耿平
作者单位:国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073
摘    要:以聚硅氧烷为先驱体,研究先驱体转化过程中在不同的裂解温度下对制备SiCf/Si-O-C复合材料性能影响.结果表明,当裂解温度在700℃、800℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度分别为255.2 MPa、309.0 MPa;当裂解温度在1000℃时,陶瓷基复合材料的弯曲强度为45.3 MPa.对SiCf/Si-O-C复合材料的微观结构及载荷-位移曲线进行分析,发现界面结构是影响SiCf/Si-O-C复合材料性能的主要因素.

关 键 词:Si-O-C  聚硅氧烷  先驱体转化  陶瓷基复合材料  裂解温度  弯曲强度
文章编号:1001-2486(2004)05-0013-05
收稿时间:2004/6/30 0:00:00
修稿时间:2004年6月30日

Fabrication of Silicon Carbide Fiber Reinforced Si-O-C Composites by Different Pyrolysizing Temperature
FAN Zhenxiang,CHENG Haifeng,ZHANG Changrui and TANG Gengping.Fabrication of Silicon Carbide Fiber Reinforced Si-O-C Composites by Different Pyrolysizing Temperature[J].Journal of National University of Defense Technology,2004,26(5):13-17.
Authors:FAN Zhenxiang  CHENG Haifeng  ZHANG Changrui and TANG Gengping
Institution:College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China;College of Aerospace and Materials Engineering, National Univ. of Defense Technology, Changsha 410073, China
Abstract:
Keywords:silicon oxycarbide  polysiloxane  precursor infiltration and pyrolysis  ceramic matrix composite  pyrolysizing temperature  bending strength
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