| 90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响 |
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| 引用本文： | 刘衡竹,刘凡宇,刘必慰,梁斌.90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响[J].国防科技大学学报,2011,33(2):136-139. |
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| 作者姓名： | 刘衡竹 刘凡宇 刘必慰 梁斌 |
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| 作者单位： | 国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目 |
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| 摘 要： | 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响.研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享线性减小.这对于电荷共享加固具有重要指导意义.
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| 关 键 词： | 电荷共享 单粒子效应 浅沟槽隔离(STI) 双极效应 |
| 收稿时间： | 2010/5/13 0:00:00 |
Impact of STI Depth on Charge Sharing in 90nm CMOS Technology |
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| LIU Hengzhu,LIU Fanyu,LIU Biwei and LIANG Bin.Impact of STI Depth on Charge Sharing in 90nm CMOS Technology[J].Journal of National University of Defense Technology,2011,33(2):136-139. |
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| Authors: | LIU Hengzhu LIU Fanyu LIU Biwei and LIANG Bin |
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| Institution: | (College of Computer,National Univ.of Defense Technology,Changsha 410073,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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