| 微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性 |
| |
| 引用本文： | 张存波,张建德,王弘刚,杜广星.微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性[J].国防科技大学学报,2015,37(2):1-4. |
| |
| 作者姓名： | 张存波 张建德 王弘刚 杜广星 |
| |
| 作者单位： | 国防科技大学 光电科学与工程学院,湖南 长沙,410073 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51377164） |
| |
| 摘 要： | 利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10d B时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现:硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。
|
| 关 键 词： | 硅基双极型晶体管 微波脉冲 击穿 失效分析 |
| 收稿时间： | 2014/12/15 0:00:00 |
Damage characteristic of microwave pulse injected on Si bipolar transistor |
| |
| ZHANG Cunbo,ZHANG Jiande,WANG Honggang and DU Guangxing.Damage characteristic of microwave pulse injected on Si bipolar transistor[J].Journal of National University of Defense Technology,2015,37(2):1-4. |
| |
| Authors: | ZHANG Cunbo ZHANG Jiande WANG Honggang and DU Guangxing |
| |
| Institution: | College of Optoelectronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China,College of Optoelectronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China,College of Optoelectronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China and College of Optoelectronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Si bipolar transistor microwave pulse breakdown failure analysis |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《国防科技大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《国防科技大学学报》下载免费的PDF全文 |
|
