| SiC光学材料的电弧增强等离子体加工方法 |
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| 引用本文： | 史宝鲁,戴一帆,解旭辉,周林.SiC光学材料的电弧增强等离子体加工方法[J].国防科技大学学报,2015,37(6):34-38. |
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| 作者姓名： | 史宝鲁 戴一帆 解旭辉 周林 |
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| 作者单位： | 1.国防科技大学 机电工程与自动化学院， 湖南 长沙 410073；
2.超精密加工技术湖南省重点实验室， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 机电工程与自动化学院， 湖南 长沙 410073；
2.超精密加工技术湖南省重点实验室， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 机电工程与自动化学院， 湖南 长沙 410073；
2.超精密加工技术湖南省重点实验室， 湖南 长沙 410073,1.国防科技大学 机电工程与自动化学院， 湖南 长沙 410073；
2.超精密加工技术湖南省重点实验室， 湖南 长沙 410073 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目（2011CB013204） |
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| 摘 要： | Si C光学材料具有高化学稳定性,其在普通的等离子体加工中难以获得较高的加工效率。在等离子体加工实验中,发现提高等离子体的自身射频电压可增强等离子体与Si C材料之间的电弧放电作用,而借助电弧的增强作用可提高Si C材料的加工效率,因此提出电弧增强等离子体加工方法。为研究电弧的形成原理,使用自制的探针分别测量了普通电感耦合等离子体和电弧增强等离子体的电压。分别使用传统方法和电弧增强方法对S-Si C进行直线扫描加工实验,证明了电弧增强等离子体加工方法具有更高的加工效率。
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| 关 键 词： | 电感耦合等离子体 射频电压 电弧等离子体 碳化硅 |
| 收稿时间： | 6/1/2015 12:00:00 AM |
Arc-enhanced plasma machining method of SiC optical material |
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| SHI Baolu,DAI Yifan,XIE Xuhui and ZHOU Lin.Arc-enhanced plasma machining method of SiC optical material[J].Journal of National University of Defense Technology,2015,37(6):34-38. |
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| Authors: | SHI Baolu DAI Yifan XIE Xuhui and ZHOU Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | inductively coupled plasma radio-frequency voltage arc plasma silicon carbide |
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