| 透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性 |
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| 引用本文： | 李国立,曾云,夏宇,徐慧.透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性[J].国防科技大学学报,2015,37(1):34-38. |
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| 作者姓名： | 李国立 曾云 夏宇 徐慧 |
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| 作者单位： | 湖南大学 物理与微电子科学学院,湖南 长沙,410082 |
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| 基金项目： | 国际自然科学基金项目（NO.61350007） |
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| 摘 要： | 透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器,是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础,综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程,介绍和分析了器件结构及其工作原理,建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件,完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段,器件光电流随栅极电压的增大而增大,表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下,器件的内部量子效率在中短波长(400nm,450nm,530nm,600nm)的光辐射下,可达到96%以上,甚至接近100%。短波长下(280nm,350nm),量子效率最大值近80%。此外,器件的暗电流很低,光暗电流之比超过106,具有高灵敏度。
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| 关 键 词： | 栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性 |
| 收稿时间： | 2014/6/18 0:00:00 |
| 修稿时间： | 7/6/2014 12:00:00 AM |
Optical characteristics for thin-film gated SOI lateral PIN photodetector |
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| LI Guoli,ZENG Yun,XIA Yu and XU Hui.Optical characteristics for thin-film gated SOI lateral PIN photodetector[J].Journal of National University of Defense Technology,2015,37(1):34-38. |
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| Authors: | LI Guoli ZENG Yun XIA Yu and XU Hui |
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| Institution: | College of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha 410082, China;College of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha 410082, China;College of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha 410082, China;College of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha 410082, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gated-control silicon-on-insulator photodetector optical characteristics |
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