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2014nccet:闪存阵列的可重构策略
引用本文:宋振龙,方健,魏登萍,张晓明,窦勇.2014nccet:闪存阵列的可重构策略[J].国防科技大学学报,2015,37(1).
作者姓名:宋振龙  方健  魏登萍  张晓明  窦勇
作者单位:国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学计算机学院
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:利用低延迟、低功耗、高可靠的NAND Flash构建闪存存储阵列是实现高性能存储系统的有效手段。但应用传统RAID技术构建闪存存储阵列,会引入磨损均衡,校验数据更新频繁导致阵列生命周期降低等问题。针对闪存固有的读写特性,设计实现了一种基于NAND Flash的高性能RAID机制——基于缓存的可重构RAID策略(Cache-Based Reconfigurable RAID,CBR-RAID)。该机制采用可重构条带的思想,利用非易失存储器SCM(Storage Class Memory)作为缓存,对数据顺序重组。实验结果表明该策略能够有效降低垃圾回收开销,提高闪存阵列的性能和使用寿命

关 键 词:闪存  固态存储    阵列    磨损均衡  擦除

A Reconfigurable RAID Mechanism Of NAND Flash
Abstract:Building storage array based on the low latency, low power consumption, and high reliability NAND Flash is an efficient way to implement high-performance storage system. However, adopting traditional RAID techniques to build storage array based on NAND Flash bring several problems such as wear-leveling and decreasing lifecycle of storage array caused by updating parity code frequently. In this paper, we propose a cache-based reconfigurable RAID mechanism that dynamically constructs a new data stripe based on the non-volatile SCM (Storage Class Memory). Experimental results show that this mechanism can reduce the garbage collection overhead, improve the performance and lifecycle of storage array based on NAND Flash efficiently.
Keywords:Flash  solid state storage  RAID  wear-leveling  erase
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