飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性仿真 |
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引用本文: | 豆贤安,孙晓泉,徐海萍.飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性仿真[J].国防科技大学学报,2018,40(4):15-21. |
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作者姓名: | 豆贤安 孙晓泉 徐海萍 |
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作者单位: | 国防科技大学脉冲功率激光技术国家重点实验室 |
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基金项目: | 脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金资助项目(SKL2014ZR04) |
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摘 要: | 为深入揭示飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性,建立了飞秒激光烧蚀硅材料理论模型,并进行了仿真研究。研究表明:飞秒激光可在脉宽时间内激发大量的电子,使其浓度超过损伤阈值,而此时晶格仍保持在较"冷"状态,直到1 ns量级才达到熔点温度;电子温度也会在脉宽时间内急剧拉升至104K量级,随后将能量缓慢地释放给晶格,直到10 ns量级才与晶格达到热平衡。电子存在两次急剧升温的过程:第一次起于自由电子吸收,止于电子与晶格的能量耦合;第二次起于单光子和双光子吸收,止于脉冲结束。脉冲能量越大,电子密度和温度越高;脉宽越短,电子温度越高。
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关 键 词: | 飞秒激光 激光烧蚀 冷破坏 硅 半导体 |
收稿时间: | 2018/1/12 0:00:00 |
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