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| 微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿） | |
| 引用本文： | 张存波.微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿）[J].国防科技大学学报,2015,37(2). |
| 作者姓名： | 张存波 |
| 作者单位： | 国防科技大学光电科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51377164） |
| 摘 要： | 利用微波脉冲注入实验平台，对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中，当低噪声放大器增益下降大于10 dB时，发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜（SEM）观测损伤后晶体管的微观特性，结果表明：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后，基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路，不再具有PN结特性，导致器件失效。 |
| 关 键 词： | 硅基双极型晶体管 微波脉冲 击穿 失效分析 |
| 修稿时间： | 3/4/2015 12:00:00 AM |
Damage characteristic of microwave pulse injected on Si bipolar transistor |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Si bipolar transistor microwave pulse breakdown failure analysis |
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