| 1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 马卓,段志奎,杨方杰,郭阳,谢伦国.1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源[J].国防科技大学学报,2011,33(3):89-94. |
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| 作者姓名： | 马卓 段志奎 杨方杰 郭阳 谢伦国 |
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| 作者单位： | 国防科技大学计算机学院,湖南长沙41003 |
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| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划资助 |
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| 摘 要： | 带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 集电极电流 温度稳定性 电源抑制比 低电源电压 |
| 收稿时间： | 2010/11/12 0:00:00 |
A 8.2ppm/°C Bandgap Voltage Reference with 1.8V Power Supply in 0.18μm CMOS Process |
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| MA Zhuo,DUAN Zhikui,YANG Fangjie,GUO Yang and XIE Lunguo.A 8.2ppm/°C Bandgap Voltage Reference with 1.8V Power Supply in 0.18μm CMOS Process[J].Journal of National University of Defense Technology,2011,33(3):89-94. |
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| Authors: | MA Zhuo DUAN Zhikui YANG Fangjie GUO Yang and XIE Lunguo |
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| Institution: | (College of Computer,National Univ.of Defense Technology,Changsha 410073,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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