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差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究
引用本文:赵振宇,蒋仁杰,张民选,胡军,李少青.差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究[J].国防科技大学学报,2009,31(2):81-85.
作者姓名:赵振宇  蒋仁杰  张民选  胡军  李少青
作者单位:国防科技大学,计算机学院,湖南,长沙,410073
基金项目:国家自然科学基金,教育部高等学校博士学科点专项科研基金 
摘    要:压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一.基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应.模拟和分析表明,SET响应不仅取决于入射能量、振荡频率,还受到轰击时刻的制约,不同轰击时刻产生的最大相位差可以相差300°以上.此外,偏置电路某些结点最为敏感,可以放大SET的影响,导致时钟失效长达7个周期.

关 键 词:单粒子效应  单粒子瞬变  压控振荡器
收稿时间:2008/10/6 0:00:00

Research on Single-event Transients in Differential Voltage-controlled Oscillators
ZHAO Zhenyu,JIANG Renjie,ZHANG Minxuan,HU Jun and LI Shaoqing.Research on Single-event Transients in Differential Voltage-controlled Oscillators[J].Journal of National University of Defense Technology,2009,31(2):81-85.
Authors:ZHAO Zhenyu  JIANG Renjie  ZHANG Minxuan  HU Jun and LI Shaoqing
Institution:College of Computer;National Univ.of Defense Technology;Changsha 410073;China
Abstract:The responses of voltage-controlled oscillators(VCOs) to single-event transients(SETs) were investigated.A classic differential VCO with symmetrical loads was implemented in a 180nm bulk CMOS process.Modeling the charge deposition and collection from ion strikes as a current source,the transient SET responses of this VCO were achieved by circuit-level simulation.Simulations and analysis indicated SET responses were not only dependent on incident energy and the frequency of oscillation,but also dependent on ...
Keywords:single-event effects  single-event transients  voltage-controlled oscillators  
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