| 25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性 |
| |
| 引用本文： | 李达维,秦军瑞,陈书明.25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性[J].国防科技大学学报,2012,34(5):127-131. |
| |
| 作者姓名： | 李达维 秦军瑞 陈书明 |
| |
| 作者单位： | 国防科技大学计算机学院,湖南长沙,410073 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。
|
| 关 键 词： | 鱼鳍型场效应晶体管 单粒子效应 工艺参数相关性 电荷收集 |
| 收稿时间： | 2012/4/11 0:00:00 |
The dependence of process parameters on single event transient in 25 nm FinFET |
| |
| LI Dawei,QIN Junrui and CHEN Shuming.The dependence of process parameters on single event transient in 25 nm FinFET[J].Journal of National University of Defense Technology,2012,34(5):127-131. |
| |
| Authors: | LI Dawei QIN Junrui and CHEN Shuming |
| |
| Institution: | (College of Computer,National University of Defense Technology,Changsha 410073,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | FinFET (Fin Field Effect Transistor) SEE (Single Event Effect) process parameter charge collection |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《国防科技大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《国防科技大学学报》下载免费的PDF全文 |
|
