| 65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估 |
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| 引用本文： | 李 鹏,郭 维,赵振宇,张民选,邓 全,周宏伟.65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估[J].国防科技大学学报,2016,38(5). |
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| 作者姓名： | 李 鹏 郭 维 赵振宇 张民选 邓 全 周宏伟 |
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| 作者单位： | 国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院,国防科学技术大学 计算机学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目）(No.61373032,No.61303069); 高等学校博士学科点专项科研基金（20124307110016） |
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| 摘 要： | 首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。
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| 关 键 词： | 三维静态存储器 软错误 分析平台 翻转截面 单粒子翻转 多位翻转 |
| 修稿时间： | 4/9/2016 12:00:00 AM |
Soft error analysis and evaluation of dual-layer 3D SRAM based on 65nm technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | three-dimensional static random access memory (3D SRAM) soft error analysis platform cross section single event upset (SEU) multi cell upset (MCU) |
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