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| 军转民技术 | |
| 摘 要： | 一、高性能氮化镓基电子材料【技术开发单位】中国科学院半导体研究所【技术简介】采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延高性能氮化镓(GaN)基电子材料。【技术特点】采用本技术制备GaN基电子材料,生长速度快,产量高,质量、重复性和均匀性好。利用制备材料已研制出国内第一 |
| 关 键 词： | 电子材料 技术简介 技术特点 金属有机化学气相沉积 技术开发 氮化镓 高性能 技术状态 制备材料 应用领域 |
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