| 忆阻器的发展现状与未来 |
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| 引用本文： | 李清江,刘海军,徐晖.忆阻器的发展现状与未来[J].国防科技,2016,37(6):9-16. |
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| 作者姓名： | 李清江 刘海军 徐晖 |
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| 作者单位： | 国防科技大学电子科学与工程学院,湖南长沙,410073 |
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| 摘 要： | 忆阻器是近年来发现的一种新型无源电路元件,具有非易失记忆特性,且在开关性能和工艺尺寸等多方面具有优势,可能成为IT技术新的物理基础。本文概述了忆阻器的研究意义,详细介绍了忆阻器的定义与发展历程,着重从器件制备、表征测试、基于忆阻器的新型计算系统应用等三个方面综述总结了国内外发展现状,并对忆阻器未来发展所面临的挑战进行了展望。研究表明,忆阻器相关研究将为突破冯诺依曼计算机构的限制,研究下一代计算系统奠定扎实的器件与架构基础。
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| 关 键 词： | 忆阻器 非易失记忆 新物理基础 器件制备 表征测试 |
A review on present status and prospect of memristor |
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