| 半导体量子点光吸收谱线亚结构的PLE谱分析 |
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| 引用本文： | 刘炳灿,潘学琴,田强.半导体量子点光吸收谱线亚结构的PLE谱分析[J].装甲兵工程学院学报,2005,19(3):76-78. |
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| 作者姓名： | 刘炳灿 潘学琴 田强 |
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| 作者单位： | 1. 装甲兵工程学院基础部,北京,100072
2. 北京师范大学物理学系,北京,100875 |
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| 摘 要： | 用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行了测量.光吸收谱线有明显的量子尺寸效应.PL谱中出现2个发光峰.用PLE谱在光吸收谱的低能侧峰附近探测,发现光吸收谱的低能侧峰附近存在2个峰,其能量间距随着量子点半径的增大而减小,说明了光吸收谱的低能侧峰存在亚结构.证明了PL谱中低能侧峰为缺陷态发光,该峰的PLE谱线说明了该峰的发光来源于1S3/2-1se和2S3/2-1se2能态的电子,甚至更高能态电子的弛豫.
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| 关 键 词： | 半导体量子点 光致发光激发光谱 光致发光谱 光吸收谱 亚结构 |
| 文章编号： | 1672-1497(2005)03-0076-03 |
| 修稿时间： | 2005年5月17日 |
Photoluminescence Excitation Spectra Analysis of the Sub-structure in the Absorption Spectra of Semiconductor Quantum Dots |
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| LIU Bing-can,PAN Xue-qin,TIAN Qiang.Photoluminescence Excitation Spectra Analysis of the Sub-structure in the Absorption Spectra of Semiconductor Quantum Dots[J].Journal of Armored Force Engineering Institute,2005,19(3):76-78. |
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| Authors: | LIU Bing-can PAN Xue-qin TIAN Qiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdSeS |
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