聚乙烯/淀粉光-生物降解薄膜的降解性能及其对作物的影响

报道了聚乙烯/淀粉光-生物降解薄膜的光降解和生物降解性能及其对农作物的影响.结果显示,薄膜具有明显的降解作用,覆盖降解薄膜后,农作物的产量增加.     

聚乙烯-淀粉生物降解薄膜研究综述

综述了聚乙烯—淀粉生物降解膜的研究和生产现状以及发展趋势．     

溶胶-凝胶法制备薄膜时溶剂的选择

以异丙醇、乙二醇、乙二醇甲醚和乙二醇乙醚4种有机物作为溶剂,采用溶胶-凝胶工艺在Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。利用分光光度计、XRD、SEM等手段对不同溶剂溶胶的透光率和BST薄膜的结构、形貌进行了表征,从溶胶-凝胶转变速度和制备的薄膜结晶质量等方面研究了溶剂对溶胶-凝胶法制备薄膜的影响。研究结果表明:用乙二醇乙醚为溶剂,经过1~3d陈化后,BST薄膜质量较好;在溶胶-凝胶法制备薄膜中,选用黏度小、沸点高、蒸发热大的溶剂有利于形成致密度较高的薄膜。     

新型微灌技术——微灌地膜

微灌地膜是在原生产聚乙烯薄膜本体上,按照微灌技术的要求,利用塑料成型原理,加工成一种薄膜覆盖的微量灌水系统,具有膜下微灌的形式。水流由毛管两侧微孔流出,遇地膜而呈线源方式湿润土壤．直接供水到作物棵间与根部,为作物生长提供良好的水、气、热状况,它具有微灌和覆盖的综合效应。微灌地膜技术是将地膜与微灌系统巧妙地组成一个整体．兼具地膜覆盖与微灌的双重功能,它使农业节水措     

电解电容与薄膜电容的对比分析

在综合现有文献基础上,对电解电容与薄膜电容的优缺点进行了对比分析。首先,分析了影响铝电解电容寿命的主要因素,给出了对电解电容寿命进行估算的方法。然后,针对交-直-交电力电子变换器,在综合考虑电容容值、电流有效值、过电压、负载功率等多因素的情况下,对直流支撑电容进行了设计,说明了在功率变化电路中薄膜电容远优于电解电容。最后,针对两类大型电力电容器,分别采用电解电容方案与薄膜电容方案进行了对比设计。结果表明:与电解电容方案相比,薄膜电容方案不仅具有寿命长、耐压高、电流承受能力强、能承受反压、无酸污染并且可长时间存贮等诸多优点,而且在体积上也明显小于电解电容方案。     

致富信息

鲜枣保鲜技术选用0.007毫米厚的聚乙烯薄膜,制成70厘米×50厘米的塑料袋,每袋精选鲜枣15公斤。装枣时注意不要碰破枣皮,装好后随即封口。可用绳子扎紧,也可用熨斗热合,以热合密闭包装效果最好。之后贮放在阴凉的凉棚中,逐袋立放在离地60-70厘米高的搁板上。每隔4-5袋,留有通风人行道。贮藏初期要注意散热,温度越低越好,以避免鲜枣高温发酵。贮藏过程中要防止鼠害和腐败。冷库贮藏选50%着色的鲜枣,放在容量为0.5-1公斤的塑料袋中,袋侧打直径3-4毫米的小孔各2-3个,事先将选出的好果在2%氯化钙溶液中浸泡30分钟,移到温度为0℃、相对湿度为60%左右的冷库内贮藏。     

纳米TiO2光催化净化有害气体的研究

以钛酸正丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法在柔性材料上制备了中孔TiO2薄膜光催化剂,利用TEM和Raman研究了薄膜的表面及结构特性,以甲醛、氰化氢、苯的光催化氧化反应为试验反应,考察TiO2薄膜光催化剂的活性。结果表明,制得了具有中孔结构、结晶完好的锐钛矿型TiO2薄膜光催化剂,具有较好的光催化活性。     

天然葛粉提取技术

葛根广布丘陵山区。葛根中含淀粉18％-25％。是一种营养独特、药食兼优的名贵绿色食品。享有"长寿粉"之誉我国野生葛根资源丰富,开发天然葛粉潜力大,市场广阔。 1、适时采挖提取天然葛粉要把握季节,一般在冬春季采挖2-4年的葛根。入冬后,地上藤叶的养分转入地下根茎储存,淀粉含量最高。一年龄的葛根茎块短小且淀粉含量低,利用价值不大,不宜采挖。采回的葛根应在3-5天内尽快提取淀粉,以免霉变。     

多弧离子镀CrN薄膜的制备与表征

应用多弧离子镀膜技术在65Mn钢基体上制备CrN薄膜,通过Nanohardness-tester、SEM、EDX和XRD测试分析了薄膜的硬度、厚度、成分结构和表面形貌.得到薄膜的最高硬度为24 GPa,最大厚度为2.06 μm.通过正交实验分析得到各因素对薄膜硬度影响程度的主次顺序是偏压、氮气、氩气、弧流,对薄膜厚度影响程度的主次顺序是弧流、氮气、偏压、氩气.     

轰击能量对Ti-Si-N纳米复合膜生长与力学性能的影响

采用离子束辅助沉积法(IBAD)在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜,研究了轰击能量大小对Ti-Si-N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响,同时探讨了轰击能量对Ti-Si-N纳米复合薄膜的生长机理的影响.通过原子力显微镜(AFM)、纳米压入仪、光电子能谱(XPS)和X射线衍射分析(XRD)等现代分析技术,对Ti-Si-N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析.试验结果表明当轰击能量为700 eV时,Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11 nm,此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高,为33 GPa.     

非晶碳类金刚石薄膜摩擦学特性及其应用

综合地介绍了类金刚石膜研究现状,着重说明了非晶碳类金刚石薄膜的摩擦学特性,分析了沉积方法、掺杂元素、摩擦环境、基体及对偶材料对其摩擦学特性的影响。最后,简要说明了非晶碳类金刚石膜应用情况。     

混合物薄膜折射率与膜孔洞率关系研究

本文对TiO_2和Ta_2O_5混合膜进行了单源共蒸发实验研究。在实验结果的基础上,提出了一个拟合TiO_2、Ta_2O_5混合膜系孔洞率的经验公式,并对混合膜的折射率的计算过程进行了改进。结果表明:理论计算与实验数据符合较好;混合物薄膜可能形成孔洞率较小的膜层,从而导致混合物薄膜折射率随混合百分比的变化曲线出现峰值。     

正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响

采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜,考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌,X射线光电子能谱（XPS）分析元素结合状态,X射线衍射（XRD）分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验,分析了薄膜弹塑性变形特性;采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明：正偏压不影响薄膜结构,其效果在于提高沉积速率约20%,改变等离子体内电荷状态,从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu,抑制了柱状晶,薄膜结构由T区向II区转变;ZrN薄膜中加入Cu后硬度并未降低,而韧性得到很大改善。Cu在薄膜中以2种形式存在：一是替换固溶到ZrN晶粒中;二是以单质Cu存在于晶界。     

InSb纳米颗粒的制备与原子力显微镜

为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜。用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面。实验结果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒。     

Ti含量对(Cr,Ti)N复合涂层组织结构与性能的影响

通过改变Ti靶弧电流,在自行改造的多弧离子镀膜机上制备了不同Ti含量的(Cr,Ti)N复合涂层。研究了不同Ti含量对涂层沉积速率、成分相结构、表面形貌及纳米硬度等性能的影响,对涂层的硬化机理进行了探讨。结果表明:随着Ti含量的增加,复合涂层的沉积速率提高,晶粒尺寸变小,粗糙度降低。涂层的择优取向从(111)晶面逐渐过渡到(220)晶面;其相结构由CrN类型结构转变为TiN和CrN并存的混合相结构,最后转变为TiN类型结构。Ti的加入可显著提高复合涂层的硬度,当Ti在金属元素中的原子数分数为0.62时,复合涂层纳米硬度最高,为35GPa。与CrN涂层相比,CrTiN复合涂层具有较低的滑动摩擦因数和较高的抗滑动摩擦磨损性能。     

辅助镀膜离子源及立方氮化硼薄膜的制备研究

为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜。     

具有C轴取向Al3+掺杂型ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及其性能研究

以乙二醇甲醚为溶剂,采用Sol-Gel法制备出具有C轴取向、可导电的Al3+离子掺杂ZnO透明薄膜,并利用场发射扫描电镜、X-射线衍射、能谱分析、标准四探针和反射光谱仪等对薄膜的组成、结构和光学性能进行了分析.结果表明:Al3+离子掺杂ZnO薄膜为六方纤锌矿型结构,由六棱柱状阵列构成,具有C轴择优取向;薄膜电阻率随Al3+离子掺杂浓度的升高而降低;在可见光区域,薄膜透光率随Al3+离子掺杂浓度的升高而降低,掺杂3％ ZnO薄膜的透光率达到90％左右,禁带宽度为3.25 eV,具备制作薄膜太阳能电池透明导电电极材料的应用价值.     

热处理对掺杂WO3的ITO薄膜性能的影响

用磁控溅射镀膜方法,制备掺杂WO3的ITO(xWO3-ITO)薄膜,经过热处理后对掺杂薄膜的表面形貌、吸收和透射光谱、面电阻等性能进行了测试.结果表明:适当的热处理能够提高xWO3-ITO薄膜在可见光范围内的透过率和在波长为228 nm处的吸光度.同时,该薄膜热处理后的方块电阻明显降低,导电性能得到明显提高.     

脉冲电沉积微晶氧化镍的电致变色研究

氧化镍薄膜由于其良好的电致变色特性受到广泛的关注．作者研究了脉冲电沉积出的NiOx薄膜的电色特性,讨论了脉冲电沉积出的NiOx薄膜与恒流电沉积出的NiOx薄膜的区别．实验指出,脉冲电沉积出的NiOx薄膜的电色性能优于恒流电沉积出的NiOx薄膜．