带有氧化钨涂层的ITO平面电极在LB系列电解液中的阻抗分析

电致变色实验显示1 mol/L六氟磷酸锂与碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯和碳酸甲乙酯所混合形成的电解液(LB)系列是一类非常节能的电致变色电解液,它们能用很小的充电电流(20μA/cm2)使得氧化钨薄膜获得更长久、更好的变色性.研究氧化钨薄膜在LB系列电解液中的交流阻抗特性,有助于更好地理解氧化钨薄膜的变色性能.文中研究了带有氧化钨薄膜层的ITO平面电极处于LB系列电解液中的阻抗谱,分别得出了氧化钨薄膜和ITO电极的等效电路;测算出氧化薄膜的常相位角元件、薄膜电阻、韦伯电阻以及与ITO电极有关的电双层电容和电极电荷转移电阻.证实了LB315是性能优良的电解液.     

掺镍氧化钨钼薄膜的阻抗特性

用溶胶凝胶的方法在ITO导电基片上制备了一组不同掺镍量的氧化钨钼薄膜,分别测量了该系统及ITO电极浸泡于1 mol氯化钠溶液中不同频率下的电化学阻抗,应用等效电路法模拟了该系统的阻抗谱,从而获得了有关掺镍薄膜的电阻、电容及溶液在薄膜内扩散等信息.研究表明,与ITO电极所产生的吸附层的等效元件参数相比较,掺镍氧化钨钼薄膜大大提高了ITO电极传输电荷的能力.     

热处理对掺杂WO3的ITO薄膜性能的影响

用磁控溅射镀膜方法,制备掺杂WO3的ITO(xWO3-ITO)薄膜,经过热处理后对掺杂薄膜的表面形貌、吸收和透射光谱、面电阻等性能进行了测试.结果表明:适当的热处理能够提高xWO3-ITO薄膜在可见光范围内的透过率和在波长为228 nm处的吸光度.同时,该薄膜热处理后的方块电阻明显降低,导电性能得到明显提高.     

氧化钨薄膜电致变色机理的探讨

研究磁控溅射生成的氧化钨薄膜处于电解液系列中的循环伏安特性,充电电流及光学特性.采用配体场理论来解释氧化钨薄膜在电场作用下,锂离子注入引起薄膜变色的现象,认为注入的锂离子破坏了薄膜界面层内氧化钨分子的八面体结构的对称性,在内部静电场和外部电场的共同作用下,钨离子d轨道的五重简并能级分裂,从而使得薄膜对可见光产生d-d吸收,导致氧化钨薄膜变色.     

军用装备镁合金表面微弧氧化层SEM微观形貌及耐蚀性分析

利用微弧氧化技术的恒电流方式,在含有Na：SiO,和KF等电解质的溶液中制备了AZ91D镁合金微弧氧化层,通过扫描电镜观察分析及Cu加速盐雾腐蚀试验,研究了电解液中Na：SiO,和KF质量浓度对微弧氧化层结构及耐蚀性的影响。结果表明：在相同反应条件下,微弧氧化层厚度和表面粗糙度随Na：SiO,和KF质量浓度的增加而增加,微弧氧化层的耐蚀性取决于其表面粗糙度和厚度,粗糙度小、具有一定厚度的致密微弧氧化层耐蚀性好。     

Cu粉粒径及含量对Ni/MH电池负极放电性能的影响

为了提高Ni/MH电池中储氢电极的放电性能,以电解Cu粉为充填材料与活性物质混合制备电极,研究Cu粉粒径及含量对电极性能的影响。研究发现,Cu粉粒径越小,含量越高,电极的放电容量、高倍率放电性能、及在低温和高温下的放电能力均提高,且Cu充填电极的性能优于Ni充填电极。Cu充填电极中析氢反应的交换电流密度较大,过电势较小,说明其电催化活性好,电极反应阻力小。SEM分析发现,充放电循环后的Cu充填电极,其储氢合金颗粒表面覆盖着一层细小Cu颗粒和丝状物,这是电极性能提高的主要原因。     

超轻型伪装

本文提供了制作伪装面的工艺,包括以可调的速度旋转辊子以及使载体网通过辊子的方法。该辊子具有柔软的外表面。聚氯乙烯薄膜能用刮刀刮到载体网上,刮刀能有效地压进辊子的柔软表面。薄膜在载体网上经过塑化处理并连接到加强层上,再将塑化薄膜和加强层从载体网上剥离下来。薄膜和强层经过切花、拉伸,然后在拉伸的状态下缝合到基础支承网上。最后得到的伪装面实际上就是超轻型的。     

卫星柔性热控薄膜材料充放电效应试验

针对柔性热控薄膜材料导电/绝缘多层复合、微纳尺寸厚度的结构特点,采用10～70 KeV电子辐照的方法开展了kapton基二次表面镜薄膜材料充放电特性的测试试验,获得了表面充电电位、静电放电频次等关键参数,并采用蒙特卡罗方法研究了辐照电子在多层薄膜材料内的输运规律。研究结果表明由于kapton基二次表面镜薄膜结构的特殊性,当辐照电子能量为10 KeV时未发生静电放电现象,随着电子能量不断增加,薄膜材料的表面充电电位幅值与静电放电频次呈先上升后下降的变化规律,且在电子能量为25 KeV时空间充放电效应最为显著。     

烧结工艺对Ag/AgCl电极电位稳定性的影响

分别采用3种温度(380℃、420℃和450℃)、2种升温方式(直接升温和阶段性保温升温)制备电极,并通过对电极表面微观形貌和金相结构的观察以及电极电位的检测分析方法,比较了不同烧结工艺的电极性能.实验结果表明:烧结后的电极体积略微膨胀,采用380℃阶段性保温升温方式烧结的电极具有更好的表面均匀性以及电位稳定性.     

具有C轴取向Al3+掺杂型ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及其性能研究

以乙二醇甲醚为溶剂,采用Sol-Gel法制备出具有C轴取向、可导电的Al3+离子掺杂ZnO透明薄膜,并利用场发射扫描电镜、X-射线衍射、能谱分析、标准四探针和反射光谱仪等对薄膜的组成、结构和光学性能进行了分析.结果表明:Al3+离子掺杂ZnO薄膜为六方纤锌矿型结构,由六棱柱状阵列构成,具有C轴择优取向;薄膜电阻率随Al3+离子掺杂浓度的升高而降低;在可见光区域,薄膜透光率随Al3+离子掺杂浓度的升高而降低,掺杂3％ ZnO薄膜的透光率达到90％左右,禁带宽度为3.25 eV,具备制作薄膜太阳能电池透明导电电极材料的应用价值.     

A reusable planar triggered spark-gap switch batched-fabricated with PCB technology for medium-and low-voltage pulse power systems

Triggered spark-gap switch is a popular discharge switch for pulse power systems. Previous studies have focused on planarizing this switch using thin film techniques in order to meet the requirements of compact size in the systems. Such switches are one-shot due to electrodes being too thin to sufficiently resist spark-erosion. Additionally, these switches did not employ any structures in securing internal gas composition, resulting in inconsistent performance under harsh atmospheres. In this work, a novel planar triggered spark-gap switch (PTS) with a hermetically sealed cavity was batched-prepared with printed circuit board (PCB) technology, to achieve reusability with low cost. The proposed PTS was inspected by micro-computed tomography to ensure PCB techniques meet the requirements of machining precision. The results from electrical experiments demonstrated that PCB PTS were consistent and reusable with lifespan over 20 times. The calculated switch voltage and circuit current were consistent with those derived from real-world measurements. Finally, PCB PTS was used to introduce hexanitrostilbene (HNS) pellets in a pulse power system to verify its performance.     

残余应力作用下脆性膜/基材料的断裂行为

假定膜内的残余拉应力足以使膜发生开裂,利用膜/基材料中含弹性界面层的剪滞模型,研究了脆性膜/基材料在残余应力作用下的开裂行为特征,探讨了膜内正应力、膜/基界面切应力的分布规律,获得了膜的裂纹密度与残余应力大小之间的解析表达式。在裂纹密度、材料的力学和几何参数确定的情况下,该解析表达式可以用来评估残余应力的大小。最后,分析了膜的裂纹密度与残余应力、膜的厚度、弹性模量、断裂强度以及界面层的切变模量之间的内在关联,绘出了这些参数影响膜裂纹密度的变化曲线。     

利用 Nernst 效应的高 Tc 超导红外探测器分析

高T_c超导膜中Nernst效应的存在为研制辐射探测器开辟了新的途径。本文分析了以Nernst效应为基础的高T_c超导红外探测器的工作原理及有关的噪声源。     

正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响

采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜,考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌,X射线光电子能谱（XPS）分析元素结合状态,X射线衍射（XRD）分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验,分析了薄膜弹塑性变形特性;采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明：正偏压不影响薄膜结构,其效果在于提高沉积速率约20%,改变等离子体内电荷状态,从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu,抑制了柱状晶,薄膜结构由T区向II区转变;ZrN薄膜中加入Cu后硬度并未降低,而韧性得到很大改善。Cu在薄膜中以2种形式存在：一是替换固溶到ZrN晶粒中;二是以单质Cu存在于晶界。     

Zn-Al—Mg-RE高速电弧喷涂工艺过程的氧化行为分析

为分析高速电弧喷涂工艺制备Zn-Al-Mg-RE防腐涂层的氧化行为,通过XRD、SEM和EDS试验探究了喷涂工艺对该涂层氧化物的组成、含量及其形态的影响规律,并测试了涂层的中性盐雾腐蚀性能。结果发现：该涂层具有典型的层状结构特征,在相互叠加的扁平颗粒之间有很薄的氧化物膜,同时在扁平颗粒的内部也非均匀地分布着富氧化物区,XRD显示这些氧化物主要为ZnO2和尖晶石结构的ZnAl2O4与MgAl2O4等。分析认为：喷涂时液态金属熔滴在高速气流剪切力作用和反应热梯度作用下,加剧了Zn-Al-Mg-RE熔滴的氧化,这些交错分布的氧化物对合金相产生了较好的屏蔽效果,从而提高了涂层的耐蚀性能。     

纳米氧化钒薄膜的制备

以钒醇盐为原料,采用溶胶—凝胶法制备了具有纳米结构的氧化钒薄膜,对影响氧化钒溶胶稳定性的因素进行了系统研究,并初步探讨了焙烧工艺条件对氧化钒薄膜价态的影响。