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1.
文中使用蒙特卡罗方法,模拟了300keV氘束流T(d,n)4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律;对计算结果进行解释和分析,得出将中子能量从14MeV慢化到1MeV以下所需的最佳屏蔽厚度。所得结果与国际上同类屏蔽体所取参数相一致,具有一定的应用参考价值。
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2.
使用蒙特卡罗直接模拟法模拟了300keV氘束流T(d,n)4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律。分析了不同介质厚度的铁对中子的反射性质和吸收性质,这些解释和分析对快中子球壳屏蔽参数的选取具有重要价值。
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