基于LabVIEW的电机数据采集系统

介绍了基于LabVIEW的电机数据采集系统的硬件组成和软件设计,提出了在LabVIEW下高速连续采集及存盘技术的实现方法,以及自动搜索基波频率的谐波分析方法,还分析了循环采样方式造成的各采样通道之间的相对相位误差产生的原因,提出采用分组采样方式减小这种误差,并给出了部分程序.最后给出了部分试验结果,证明所提方法的正确性.     

一种层次数据表的设计与统计方法分析

根据一种层次数据的特点,采用层次编码标识实体的方式进行数据存取,并在此基础上进行表设计.使用触发器、存储过程、视图、客户端计算等方式逐层统计层次节点上的费用.最后,分析了这几种方式的特点和适用范围.     

基于统计性QoS保证的数据包延时界调度算法

讨论了调度算法的性能指标,对目前基于业务流的调度算法的技术特点与性能优劣进行了分析和比较.重点研究了基于时延和丢包率的算法,并提出了一种基于数据包延时界(PDB)排列的调度策略,与WFQ及传统EDF算法进行了比较,证明业务端到端超时概率随网络带宽利用率的变化性能优于传统EDF算法.     

基于单DSP实现并行扩维离散Hartley变换算法的研究

提出了一种将N点的一维离散Hartley变换(简称DHT)分解成N0×N1点的二维DHT(其中N=N0×N1)和一些运算量很小的附加运算的并行扩维DHT算法,此算法通过减少数据相关性的方法突破了DSP高效求解快速离散Hartley变换(简称FHT)时问题规模受片内内存容量限制问题,降低了编程复杂性,并在TMS320C80的单处理单元上进行了该算法实现方法的研究.结果表明,理论分析和试验结果吻合,该算法适合在单DSP上实现.     

人体综合电阻测试研究

采用恒压比较法设计了人体综合电阻测试系统,电路结构为两路双限比较器,符合国标、军标的防静电测试要求,具有声光提示功能,可广泛应用于弹药库、电子产品及火工品生产车间等防静电工作区。     

一种培养创新性人才新模式的有益探索—关于在我院创建军用装备机电技术创新教学/实验基地的构想

在军队工科院校建立机电技术创新教学/实验基地是一项具有深远意义的教学实践的尝试,它有利于开拓一种全新的军队工科课程的教学模式和人才培养模式,对培养学员和研究生的创新能力具有极大的促进作用.主要从以下3个方面对建立机电技术创新教学/实验基地的思路和方案,进行了初步的探讨:国内外军校创新教育的发展现状;在我院开设创新实验的基本思路;建立机电技术创新实验基地的初步规划方案.     

最优线性分派模型的水面舰艇破交方案优选

水面舰艇破交方案是由指挥机关根据辅助指挥决策系统提供的敌情判断和应采取的对策拟制形成的,由于问题本身的复杂性,在进行方案优选时,其模糊性、不确定性较强.在综合分析了水面舰艇破交方案指标的基础上,考虑到了"成本型"和"效益型"指标间的不可公度性及矛盾性.对待选方案按其对正理想解和负理想解的贴近度进行排序,求出各方案的排序频数,将其转化为最优线性分派模型进行优化,从而使所有方案得到总体最优排序.     

基于符号树信息熵的机械振动瞬态信号特征提取

用简单的二进制划分简要说明了信号符号化问题,给出了二进制划分下符号树结构及其Shannon熵计算方法,叙述了符号序列编码方法和符号序列直方图的作用,提交了符号时间序列分析的计算机流程图,对内燃机机身振动信号和转轴振动信号用符号树信息熵进行了特征提取。     

脑功能光学成像研究进展

首先对脑功能成像技术的研究背景和发展历程进行了简单的回顾 ,然后对脑功能光学成像方法进行了分类综述 ,主要介绍了电压敏感性染色成像、内源光学成像、光学相干层析成像、神经元活动相关光信号成像等成像方法的原理和最新进展 ,并总结了选择光学成像系统所应考虑的因素 ,最后 ,通过对各种成像方法的分析和比较 ,提出了改进和完善脑功能光学成像技术的建议 ,并对脑功能光学成像技术的发展前景指出了一些可能的方向     

聚硅氧烷/二乙烯基苯的交联与裂解

通过研究聚硅氧烷 (PSO)与二乙烯基苯 (DVB)的交联与裂解发现 ,只有在氯铂酸的催化下 ,PSO与DVB才能完全交联固化。催化剂含量为 11 31ppm、质量比为 1:0 5的PSO DVB体系在 12 0℃下交联 6小时后 ,其陶瓷产率为 76 %。该体系的室温粘度为 10 5mPa·s,与碳纤维 (Cf)的接触角为 34° ,非常适合制备三维纤维编织物增强的陶瓷基复合材料。XRD测试表明 ,在 10 0 0℃下裂解的产物中出现SiO2 微晶 ,12 0 0℃时出现 β -SiC微晶 ,温度再升高 ,两种晶粒明显长大。 10 0 0℃裂解产物中Si、O、C三种原子的含量分别为 38 33wt %、 2 7 33wt %、 34 34wt% ,其中C大部分以自由碳形式存在 ,其余部分与Si、O无序混合 ,形成 [Si (O ,C) 4]结构。这种结构在 12 0 0℃以上转变为 [SiO4]和 [SiC4]结构