基于单DSP实现并行扩维离散Hartley变换算法的研究

提出了一种将N点的一维离散Hartley变换(简称DHT)分解成N0×N1点的二维DHT(其中N=N0×N1)和一些运算量很小的附加运算的并行扩维DHT算法,此算法通过减少数据相关性的方法突破了DSP高效求解快速离散Hartley变换(简称FHT)时问题规模受片内内存容量限制问题,降低了编程复杂性,并在TMS320C80的单处理单元上进行了该算法实现方法的研究.结果表明,理论分析和试验结果吻合,该算法适合在单DSP上实现.     

人体综合电阻测试研究

采用恒压比较法设计了人体综合电阻测试系统,电路结构为两路双限比较器,符合国标、军标的防静电测试要求,具有声光提示功能,可广泛应用于弹药库、电子产品及火工品生产车间等防静电工作区。     

基于赋时Petri网的自动测试系统建模

提出了利用赋时Petri网(Tim ed Petri Net)对自动测试系统建模和性能分析的方法。采用启发式算法,对系统的可达树进行搜索,实现测试序列的优化,不仅降低了计算的复杂度,而且获得了满意的并行度,提高了自动测试系统的测试效率。     

一种培养创新性人才新模式的有益探索—关于在我院创建军用装备机电技术创新教学/实验基地的构想

在军队工科院校建立机电技术创新教学/实验基地是一项具有深远意义的教学实践的尝试,它有利于开拓一种全新的军队工科课程的教学模式和人才培养模式,对培养学员和研究生的创新能力具有极大的促进作用.主要从以下3个方面对建立机电技术创新教学/实验基地的思路和方案,进行了初步的探讨:国内外军校创新教育的发展现状;在我院开设创新实验的基本思路;建立机电技术创新实验基地的初步规划方案.     

最优线性分派模型的水面舰艇破交方案优选

水面舰艇破交方案是由指挥机关根据辅助指挥决策系统提供的敌情判断和应采取的对策拟制形成的,由于问题本身的复杂性,在进行方案优选时,其模糊性、不确定性较强.在综合分析了水面舰艇破交方案指标的基础上,考虑到了"成本型"和"效益型"指标间的不可公度性及矛盾性.对待选方案按其对正理想解和负理想解的贴近度进行排序,求出各方案的排序频数,将其转化为最优线性分派模型进行优化,从而使所有方案得到总体最优排序.     

ε-己内酯合成中热聚合

采用新方法合成ε-己内酯,通过两步减压蒸馏收集己内酯,只能得到很少量的单体,大量反应产物以粘稠状蒸馏残余物形式存在。利用GC、TG、DTA、NMR等表征手段对反应产物进行分析研究,得出己内酯在蒸馏过程中发生了热聚合,残余物为己内酯的低聚物,分子量在650左右。     

基于符号树信息熵的机械振动瞬态信号特征提取

用简单的二进制划分简要说明了信号符号化问题,给出了二进制划分下符号树结构及其Shannon熵计算方法,叙述了符号序列编码方法和符号序列直方图的作用,提交了符号时间序列分析的计算机流程图,对内燃机机身振动信号和转轴振动信号用符号树信息熵进行了特征提取。     

甲基二氯硅烷甲醇醇解产物含量的红外与核磁共振分析

本文对二甲苯溶剂中ＭｅＳｉＨＣｌ２ 和甲醇的反应产物Ｍｅ （ＯＭｅ）２ＳｉＨ 及ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）３ 作了红外和核磁共振分析， 结果表明： 以红外谱图中Ｓｉ－Ｈ 和苯环吸收带作为含量分析谱带， 采用比例法， 借助工作曲线，可确定反应产物的含量。亦可以通过对各组分处于不同化学位移下质子的核磁共振分析，采用归一化法，经过换算测定反应产物混合液中各组份含量。两种测定方法均简便快捷， 并对两法的测定结果作了分析比较。     

脑功能光学成像研究进展

首先对脑功能成像技术的研究背景和发展历程进行了简单的回顾 ,然后对脑功能光学成像方法进行了分类综述 ,主要介绍了电压敏感性染色成像、内源光学成像、光学相干层析成像、神经元活动相关光信号成像等成像方法的原理和最新进展 ,并总结了选择光学成像系统所应考虑的因素 ,最后 ,通过对各种成像方法的分析和比较 ,提出了改进和完善脑功能光学成像技术的建议 ,并对脑功能光学成像技术的发展前景指出了一些可能的方向     

聚硅氧烷/二乙烯基苯的交联与裂解

通过研究聚硅氧烷 (PSO)与二乙烯基苯 (DVB)的交联与裂解发现 ,只有在氯铂酸的催化下 ,PSO与DVB才能完全交联固化。催化剂含量为 11 31ppm、质量比为 1:0 5的PSO DVB体系在 12 0℃下交联 6小时后 ,其陶瓷产率为 76 %。该体系的室温粘度为 10 5mPa·s,与碳纤维 (Cf)的接触角为 34° ,非常适合制备三维纤维编织物增强的陶瓷基复合材料。XRD测试表明 ,在 10 0 0℃下裂解的产物中出现SiO2 微晶 ,12 0 0℃时出现 β -SiC微晶 ,温度再升高 ,两种晶粒明显长大。 10 0 0℃裂解产物中Si、O、C三种原子的含量分别为 38 33wt %、 2 7 33wt %、 34 34wt% ,其中C大部分以自由碳形式存在 ,其余部分与Si、O无序混合 ,形成 [Si (O ,C) 4]结构。这种结构在 12 0 0℃以上转变为 [SiO4]和 [SiC4]结构