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551.
基于路径跟随算法的InSAS湖试数据相位解卷 总被引:1,自引:1,他引:0
详细介绍了分支截断法、区域增长法、掩模割线算法,以及最小不连续算法等几类路径跟随算法.基于湖试数据,给出了各算法处理结果并作了分析. 相似文献
552.
目前许多高分辨算法只适用于均匀线列阵的方位估计.在不规则阵列条件下,需将实际阵列等效为虚拟均匀线列阵.文中通过对基于扇区内插法设计虚拟均匀线列阵的研究,给出了设计的具体步骤,并提出一个简单且准确的虚拟线列阵阵元间隔的计算公式. 相似文献
553.
针对UAV任务分配中任务回报值与执行任务的UAV数量成非线性关系问题进行了研究,改进了该问题的非线性约束数学模型,加入了回报比分析,提高了模型的准确性.根据所建模型运用互熵算法对模型进行了仿真.就算法性能与相似的其他非线性算法进行了对比仿真,结果验证了算法的有效性. 相似文献
554.
555.
为了设计大功率低损耗的延时线,提出了用多股窄印制线并行绕制替代单股印制线绕制、在某些特定位置将并绕的多股印制线交叉换位的多层PCB螺旋电感的设计方法,并用该电感和电容模拟电缆的分布参数电感和电容制作延时线。通过多股并绕交叉换位的方式可以增加电感的有效截面积,减小电感的涡流损耗,有效提高电感的品质因数。测试结果表明:该螺旋电感的品质因数在短波频段内有较大提高。利用该螺旋电感制作的200ns延时线在通1A电流50 W功率时,延时性能好、驻波比小、衰减量小,满足大功率低损耗的要求。 相似文献
556.
采用腐蚀电化学的点蚀极化曲线并结合腐蚀形貌的扫描电镜分析的方法,研究了回归再时效(RRA)工艺处理7A60铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的点蚀行为,对其耐点蚀性能进行了评价,并探讨了RRA工艺改善该合金点蚀性能的机理。结果表明:采用120RRA工艺(120℃×24h预时效+195℃×0.5h回归+120℃×24h再时效)处理后,7A60铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的阳极极化曲线闭合环面积减小,再钝化电流密度Ipp降低,蚀孔较浅,RRA工艺在一定程度上改善了该铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的耐点蚀性能。 相似文献
557.
考虑生产实际的需求,综合最小变形误差、最大金属切除率和最大刀具耐用度建立端铣工艺参数多目标优化模型。通过对粒子群全局寻优能力和灰色理论的适应性综合分析,研究提出耦合粒子群算法(Particle Swarm Op-timization,PSO)和灰色关联(Gray Relevancy Analysis,GRA)的多目标工艺参数优化算法。该方法将多目标函数的优化问题转化为优化单项灰关联度,得到了多项工艺指标要求下的参数优化组合。将该方法应用在多目标工艺参数优化设计中取得了满意的结果,表明其具有很大的适应性。 相似文献
558.
采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜,考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析元素结合状态,X射线衍射(XRD)分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验,分析了薄膜弹塑性变形特性;采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明:正偏压不影响薄膜结构,其效果在于提高沉积速率约20%,改变等离子体内电荷状态,从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu,抑制了柱状晶,薄膜结构由T区向II区转变;ZrN薄膜中加入Cu后硬度并未降低,而韧性得到很大改善。Cu在薄膜中以2种形式存在:一是替换固溶到ZrN晶粒中;二是以单质Cu存在于晶界。 相似文献
559.
根据整体补强和厚壁接管补强2种型式,为内压圆筒大开孔结构确定满足结构和工艺要求的圆筒壁厚和3种规格接管壁厚。采用压力面积法和ASME规范对该大开孔结构进行强度校核,并运用有限元分析法进行结构的应力分析和数字模拟,比较不同壁厚接管的补强效果,从而确定容器的结构尺寸。设备实际运行结果表明:该结构强度满足工作要求。 相似文献
560.
令牌协议采用广播方式发送一致性消息,导致网络通信量大,限制了协议的扩展能力。提出预测的方法有效地消除令牌协议中的无用消息,从而降低了通信量。根据应用程序的读写失效比例提出3种预测策略。实验结果显示,采用512项的Owner预测器平均降低3.8%的连接通信量,Sharer预测器和Hybrid预测器分别平均降低了11%和7%的连接通信量。预测方法可以有效地降低令牌协议的通信量,提升令牌协议的扩展能力。 相似文献