基于PCB技术的延时线设计方法

为了设计大功率低损耗的延时线,提出了用多股窄印制线并行绕制替代单股印制线绕制、在某些特定位置将并绕的多股印制线交叉换位的多层PCB螺旋电感的设计方法,并用该电感和电容模拟电缆的分布参数电感和电容制作延时线。通过多股并绕交叉换位的方式可以增加电感的有效截面积,减小电感的涡流损耗,有效提高电感的品质因数。测试结果表明:该螺旋电感的品质因数在短波频段内有较大提高。利用该螺旋电感制作的200ns延时线在通1A电流50 W功率时,延时性能好、驻波比小、衰减量小,满足大功率低损耗的要求。     

回归再时效7A60铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的点蚀性能

采用腐蚀电化学的点蚀极化曲线并结合腐蚀形貌的扫描电镜分析的方法,研究了回归再时效(RRA)工艺处理7A60铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的点蚀行为,对其耐点蚀性能进行了评价,并探讨了RRA工艺改善该合金点蚀性能的机理。结果表明:采用120RRA工艺(120℃×24h预时效+195℃×0.5h回归+120℃×24h再时效)处理后,7A60铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的阳极极化曲线闭合环面积减小,再钝化电流密度Ipp降低,蚀孔较浅,RRA工艺在一定程度上改善了该铝合金在0.5mol/L NaCl溶液中的耐点蚀性能。     

蒙皮材料静电起电影响因素实验研究

为有效减小静电放电对飞行器的影响,设计蒙皮材料静电起电地面模拟实验平台．利用该平台对某型蒙皮材料进行静电起电实验研究,得到材料摩擦起电电位随时间的变化规律,并研究接触面积、相对速度、环境温度和相对湿度对材料静电起电电位最大值的影响,通过拟合曲线得到：相对湿度对静电起电电位的影响最大,相对速度次之,接触面积和环境温度对起电电位的影响相对较小．     

正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响

采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜,考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌,X射线光电子能谱（XPS）分析元素结合状态,X射线衍射（XRD）分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验,分析了薄膜弹塑性变形特性;采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明：正偏压不影响薄膜结构,其效果在于提高沉积速率约20%,改变等离子体内电荷状态,从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu,抑制了柱状晶,薄膜结构由T区向II区转变;ZrN薄膜中加入Cu后硬度并未降低,而韧性得到很大改善。Cu在薄膜中以2种形式存在：一是替换固溶到ZrN晶粒中;二是以单质Cu存在于晶界。     

基于GRA-PSO算法的端铣工艺参数多目标优化

考虑生产实际的需求,综合最小变形误差、最大金属切除率和最大刀具耐用度建立端铣工艺参数多目标优化模型。通过对粒子群全局寻优能力和灰色理论的适应性综合分析,研究提出耦合粒子群算法（Particle Swarm Op-timization,PSO）和灰色关联（Gray Relevancy Analysis,GRA）的多目标工艺参数优化算法。该方法将多目标函数的优化问题转化为优化单项灰关联度,得到了多项工艺指标要求下的参数优化组合。将该方法应用在多目标工艺参数优化设计中取得了满意的结果,表明其具有很大的适应性。     

内压圆筒大开孔结构补强设计与应力分析

根据整体补强和厚壁接管补强2种型式,为内压圆筒大开孔结构确定满足结构和工艺要求的圆筒壁厚和3种规格接管壁厚。采用压力面积法和ASME规范对该大开孔结构进行强度校核,并运用有限元分析法进行结构的应力分析和数字模拟,比较不同壁厚接管的补强效果,从而确定容器的结构尺寸。设备实际运行结果表明:该结构强度满足工作要求。     

群时延傅里叶分解模型及其估计方法

建立了基于三角函数级数的群时延模型,并理论证明了仅采用有限阶数的三角函数群时延即可表征任意群时延对信号相关峰的影响。在此基础上,通过测量信号相关峰,并与不同三角函数群时延组合下的相关峰进行匹配搜索即可估计群时延的三角函数分解级数,从而估计得到相关峰影响等效的群时延特性。仿真中,采用该方法估计得到的群时延特性对滤波器进行修正后,信号相关峰与经过滤波器之前的信号相关峰高度吻合,时延估计偏差在0.1 ns之内。