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991.
反应法制备SiC涂层组成与结构   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC致密涂层,利用XRD分析涂层的组分及晶体结构,利用扫描电镜及金相显微镜观察涂层的断口及表面形貌,并对涂层形成过程进行了分析。结果显示:涂层主要由SiC及少量的游离Si组成,致密不开裂的SiC涂层与C/SiC复合坯体之间有很好的梯度过渡结构;相反,涂层与坯体之间如果没有形成过渡层,涂层会因热残余应力过大而开裂;反应法制备不开裂SiC涂层与CVDSiC涂层有很好的热匹配性,同时在其表面制备的CVDSiC涂层无点缺陷。  相似文献   
992.
判定执行消除分支指令,有助于提高性能,但执行额外的指令会造成能量浪费。尽早作废无效的判定指令,可以减少能量消耗。针对Itanium2处理器,修改流水线功能划分,提前读取谓词的值,提出谓词相关情况下的流水线停顿方法。模拟结果表明,提前读取谓词并作废无效指令,能减少能量浪费,提高能量效率。  相似文献   
993.
树干杂波是叶簇穿透(FOPEN)超宽带合成孔径雷达(UWBSAR)图像中叶簇隐蔽目标检测的主要干扰,能否有效抑制树干杂波是目标检测成功与否的关键。利用UWBSAR的大积累角成像特性所提供的目标方向性信息,基于隐马尔可夫模型(HMM),提出了一种识别并抑制树干杂波的方法。试验结果表明,该方法可有效识别并抑制FOPENUWBSAR图像中的树干杂波,增强叶簇隐蔽目标检测性能。  相似文献   
994.
讨论下列中立型含逐段常滞量微分方程的伪概周期解d2dt2(x(t)+p(t)x(t-1))=qx(2[t+12])+g(t,x(t),x[t])采用不动点定理和构造伪概周期序列的方法,得到了此方程的伪概周期解的存在性,并推广了文献[5~8]中的有关结果。  相似文献   
995.
铝基水反应金属燃料性能初步研究   总被引:13,自引:2,他引:11       下载免费PDF全文
提出水反应金属燃料双反应区模型,结合化学反应过程对其进行了热力特性分析,初步研究了铝基水反应金属燃料配方等因素对发动机性能的影响。  相似文献   
996.
振动矩形机翼非线性绕流数值研究   总被引:4,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
发展了可用于模拟包含运动边界的非定常流动的数值方法。该方法采用非结构动网格技术并构造了一种MUSCL类型有限体积格式,求解考虑了动网格效应的三维非定常Euler方程。非结构网格的变形运动由弹簧近似技术实现。用上述方法计算了作正弦振动的矩形机翼非线性绕流,计算结果与实验结果吻合,得到了流体运动与固体运动耦合的非线性流动特性。计算表明,该数值方法具有较好的精度和可靠性,完全可用于气动弹性或其他流固耦合问题的数值模拟。  相似文献   
997.
三轴跟踪平台算法研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
为研究三轴跟踪平台的过顶问题,讨论了退化α型跟踪算法,提出了完全退化型算法和三步跟踪算法,并从理论上证明了所给出的算法可以解决过顶问题。对距离地球表面大约2000km星体,应用完全退化型算法进行计算机观测仿真,计算数据表明,运用完全退化型算法可以使三轴的转动角速度控制在0.56((°)s)以内。随后将三步跟踪算法应用到三轴自动跟踪平台试验,试验表明三步跟踪算法可以解决过顶跟踪问题。  相似文献   
998.
聚二甲基硅烷高压合成聚碳硅烷的组成与结构分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
以聚二甲基硅烷(PDMS)为原料,在高压釜内450℃下反应6h,制备了聚碳硅烷(PCS)先驱体。对其组成及结构进行了表征,推测了PCS的大致结构模型。研究表明,PCS分子包含Si CH3、Si CH2 Si、Si H组成的SiC4、SiC3H等结构单元,实验式为SiC1.87H7.13O0.03。与常压高温裂解制备的软化点相近的PCS相比,二者的元素组成基本一致,高压合成的PCS具有较高的分子量和硅氢含量,但支化度略高。  相似文献   
999.
基于IEEE802.11 a OFDM基带协议,对OFDM基带的形成和同步接收作了详细的分析,并基于M atlab对OFDM基带形成和接收进行建模仿真,研究给出了不同信噪比条件下适宜传输的速率。  相似文献   
1000.
片上系统(SoC)技术是近年来随着微电子技术发展出现的新技术,现已被广泛应用.利用SoC可以将原来由许多芯片完成的复杂功能,集中到一块芯片中完成,以获得更高的系统性能.以某火控系统中的模拟量输入通道为例,阐述了通过SoC技术,用基于FPGA/CPLD的方法对火控系统硬件电路进行维修改造,从而探讨了解决装备维修问题的一种方法.并讨论了改造过程中单稳态触发器96L02的替代问题,以及FPGA/CPLD与外围电路的驱动能力问题.  相似文献   
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