吸湿环境对石英纤维增强环氧树脂面板/PMI泡沫夹层结构复合材料吸湿行为的影响

研究了不同温度、湿度环境下,夹层结构石英纤维增强环氧树脂面板/PMI泡沫夹层结构复合材料及其芯材和面板的吸湿规律。将石英纤维增强环氧树脂面板、PMI泡沫、复合材料面板/PMI泡沫夹层结构试样在不同吸湿环境中进行吸湿处理后,对其吸湿行为进行分析。结果表明:浸水环境下面板、PMI泡沫、PMI泡沫夹层结构复合材料都表现出更为严重的吸湿行为;在潮湿环境中,50℃至70℃范围内,温度越高,试样在吸湿过程中的质量损失越多,最终的饱和吸湿率越小;在60℃以内的潮湿环境中,PMI泡沫夹层结构复合材料的饱和吸湿率可以通过相同环境下面板复合材料和PMI泡沫的吸湿率进行预测。     

基于最坏情况下的稳健波束形成自适应方向图副瓣控制方法

针对最坏情况下性能优化的稳健自适应波束形成,提出一种自适应方向图的副瓣控制方法。该方法通过在副瓣任意区域设置多个二次不等式约束,对副瓣增益进行控制,从而可将方向图副瓣电平严格控制在期望值以下。该方法的优化模型可转化为凸二阶锥规划问题,利用内点法可有效求解实现。计算机仿真结果表明存在波束指向误差情况下,该方法既能获得指定的较低副瓣电平,又不带来干扰抑制性能的损失。     

CGF智能决策模型中的威胁评估方法研究

威胁评估是一个不确定的推理过程,为指挥员提供准确、及时的威胁信息,是CGF实体瞄准行为决策中最关键的任务之一。针对基于CGF智能决策系统,在分析威胁因素的基础上,提出了一种利用模糊关系方程估计目标威胁等级的算法。这一算法利用威胁因素和对应的威胁等级构成的训练模糊集合,建立威胁等级和影响因素之间的模糊关系。生成的模糊关系能利用给定的威胁因素和实时目标信息从而估计出未来的目标威胁等级。计算结果表明,这一方法是正确可行的。     

基于星载干涉仪测向的辐射源定位综合算法

针对卫星多次观测定位点的估计问题,提出一种不依赖于先验知识的定位点综合算法.该算法首先分析了星载干涉仪测向体制的定位精度,并基于此提出利用定位误差协方差矩阵对定位点进行加权综合的方法.仿真实验表明本文方法可以提高定位精度.     

战术Agent的灰色局势决策

在基于复杂自适应系统的多Agent的作战仿真实验过程中,由于行为、规则、属性构成了复杂的局势,目前还未能构建一种有效的决策支持模型.应用灰色局势决策的方法建立了战术Agent决策模型,对于解决战术试验当中的战术Agent决策问题,具有一定的意义.在分析灰色局势决策的相关概念及步骤的基础上,结合作战实例,说明了该模型的合理可行性.     

基于GPS技术舰空导弹脱靶量测量系统设计

本文在简要介绍舰空导弹脱靶量测量的现状及存在缺陷的基础上,设计了基于GPS定位原理和技术的一种机动化、可扩展的舰空导弹脱靶量测量系统。应用此测量系统,不仅可以实现全天候、高精度的舰空导弹脱靶量测量,而且精度可达亚米级。     

双质量飞轮的弧形弹簧设计及仿真分析

为了研究双质量飞轮的减振特性及其在汽车上的使用情况,在分析弧形螺旋弹簧双质量飞轮工作原理的基础上,经过理论推导,得到了应用于双质量飞轮的弧形螺旋弹簧的刚度计算公式,根据此公式完成了2个弹簧和6个弹簧双质量飞轮的弹簧参数计算和结构设计;建立了车辆动力传动系统的多自由度扭振分析仿真模型,对2种形式双质量飞轮减振效果进行了仿真分析。分析结果对设计适用于已知工况的双质量飞轮具有实用意义。     

浅谈在营区规划中对营区文化的塑造

当前在军队工程建设中,对营区规划的主导思想已形成基本一致的认识,但多从物质技术层面去理解,就营区规划单位而言,尚没有广泛认识到营区文化也是规划中的重要内容以及在营区现代化建设中起着不可替代的作用。本文针对此情况重点论述了营区文化的主要内容和重要作用,并提倡通过对营区空间形态的创造来塑造有特色的营区文化,最终创造出一个充满凝聚力的,有利于长期发展的营区环境。     

超音速外流与塞式喷管形成的干扰流场数值模拟

从考虑了k ε湍流模型和双组分气体模型的三维薄层近似NS方程出发 ,采用高效ENO差分格式 ,数值模拟了超音速空气外流与塞式喷管燃气形成的内外流干扰流场。部分计算结果与国外文献相比一致。在此基础上论证了应用计算流体力学开展塞式喷管研究的可行性。     

130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10~(-12),与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。