微机控制系统中的信息交换技术探讨

说明了在DOS环境下如何利用内存直接映像技术在微机控制系统中实现信息交换.介绍了双端口数据存储器的使用;提供了解决在对数据交换的实时性要求较高的控制系统中如何进行数据交换这一问题的方法和思路.     

喷流干扰效应的快速计算方法

给出了一种快速计算火箭发动机喷流流场的方法,并在此基础上发展了一种计算喷流与物面间干扰流场及飞行器气动特性的工程计算方法。该方法不仅考虑了喷流与物面的碰撞,还考虑了有攻角下自由来流与喷流间的相互干扰。计算结果表明,该方法对飞行器初步设计是十分有用的工具     

SPC交换程序的半自动生成技术

本文介绍我院正在研制的 SPC 交换领域用的半自动编程系统,该系统通过用规范和描述语言 SDL 书写的规范来产生 SPC 交换程序。文中讨论了半自动生成系统的基本结构,并给出一个具体的半自动生成实例。     

加电场减少等离子鞘套电子密度方案探讨

高速飞行器重返大气层时,在其表面形成高温等离子体鞘套,它在某一个飞行高度范围内会引起飞行器与地面之间的通讯中断,即“再入通讯中断问题”。目前国外减缓中断的手段较多,然而各有利弊。本文从原理上探讨了加电场减少鞘套边界层内电子密度方案的可能性,以期作为一种较简单的克服再入通讯中断的物理手段。     

强度理论的主应力形式及几何解释

本文从一般强度理论出发导出各向异性材料应力形式张量多项式强度理论,根据强度准则的外凸性得到应力二次形式强度准则的强度参数限制条件。该限制条件既可验证强度准则的可用性又有助于实验确定基本强度参数。主应力形式强度准则在应力空间给出一个椭圆型二次曲面如:椭球面、椭圆抛物面、回转抛物面、椭圆柱面或圆柱面等。     

磁悬浮列车模型的实验研究

本文主要研究磁悬浮列车模型的控制问题。在分析列车数学模型的基础上,利用信号变换技巧,实现了系统的解耦。对解耦系统根据性能指标要求配置了闭环系统的极点;通过状态反馈给出了反馈阵F;设计了控制器。研究了磁悬浮列车控制系统的具体实现问题。     

Application of renewal theory to continuous sampling plans

Renewal theory is used to study the effectiveness of a class of continuous sampling plans first introduced by Dodge. This approach provides a simple way of viewing and computing the long-run Average Outgoing Quality (AOQ) and its maximum AOQL. More importantly, it is used to study the average outgoing quality in a short production run through an approximation formula AOQ^*(t). Formulas for AOQ and AOQ^*(t) are provided. By simulation, it is found that AOQ^*(t) is sufficiently accurate in situations corresponding to actual practice.     

固体推进剂能量特性优化设计

本文在最小自由能法精确计算固体火箭推进剂能量特性程序的基础上,运用模式搜索优化方法,编制了电子计算机程序,用该程序能算出已知组分在最高比冲或最高特征速度下的最佳配方。优化计算结果和图象法(或精确计算)所得的结果是一致的。这证明固体推进剂能量特性的优化设计是成功的,为固体推进剂配方设计提供了一种有效的计算方法。     

分离模块航天器不确定性多学科设计优化

为了在分离模块航天器研制过程中充分考虑各类不确定性因素的影响,以此对全寿命周期成本、收益以及系统稳健性和灵活性进行综合评价和设计优化,本文对新概念航天器——分离模块航天器概念设计阶段的不确定性多学科设计优化(UMDO)进行了研究.首先,对UMDO方法进行了概述,对分离模块航天器UMDO的主要流程进行了介绍.其次,对分离...     

1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源

带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。