屏蔽数据在新型截尾样本下系统的可靠性分析

当系统含有屏蔽数据时,在具有随机移走逐步增加型截尾模型下,讨论了部件寿命服从双参数指数分布的串联系统可靠性估计问题。设随机移走系统数服从二项分布,利用极大似然方法,Bayes理论及方法,推导出双参数指数部件参数、系统可靠性函数、失效率函数及移走概率的极大似然估计和Bayes估计。并利用Monte Carlo方法对两种估计结果进行了比较,表明Bayes估计较极大似然估计效果更优。     

固定目标防护的干扰波束内部压制区模型分析

针对目前压制性干扰研究状况以及原有固定目标防护干扰方程运用时可能存在的缺点,重点分析了干扰方程中干扰波束增益这一参数,改进了原有干扰方程,构建了干扰波束内部压制区计算模型,仿真了不同波束方向下的有效压制区,总结了可能的变化规律,讨论了多目标干扰的可行性。此方程对干扰资源的配置和干扰效能的优化有一定实用价值。     

基于Matlab仿真的当前统计模型的参数校正

当前统计模型能真实地反映目标机动范围和强度的变化,是目前较好的实用模型。大量实验表明该算法在跟踪机动目标时具有良好的跟踪结果。然而实验中也发现该算法在跟踪具有加速度的目标机动情况时,其速度与加速度估计的动态时延明显位置误差较大,因此不能很好地实时反映目标的机动情况。因此需要进行新的调整参数的设定与比较,使其克服以上的缺点,文章借鉴强跟踪滤波器,在滤波器状态预测协方差矩阵中引入了加权因子并利用M atlab仿真技术,针对当前统计模型中对动态时延影响比较大的几个重要参数,进行了仿真对比和调整。跟踪结果表明:动态时延明显减小,位置误差大幅下降,达到了比较理想的跟踪效果。     

面向诸元计算精度鉴定的二次抽样试验设计方法

针对诸元计算精度常规试验方法的缺点和不足之处,提出了"二次抽样"的试验设计方法,在一次抽样的基础上,通过对试验结果进行分析,进行第二次有针对性的抽样试验,并采用贝叶斯估计方法,对两次相关联的试验结果进行综合评价。最后采用该方法对某型炮兵指控系统的诸元计算精度进行了检验,证明了该方法的实用性和有效性。与常规试验方法相比,二次抽样法对诸元计算中各变量不同值域的权重进行了重新分配,其计算结果对被试装备的实际性能更具有指向性。     

MRO系统动态维修策略的建模与优化

在MRO系统中,随着对精益维修要求的日益提高,提出一种计算设备维护维修的最小平均费用率的模型。此模型是利用接收到的监控信息确定设备退化模型,设定退化模型动态预防性维修阈值,根据维修成本最小的原则动态选择最佳的预防性维护阈值和最佳的预防性维护时间。并计算各种不同参数下符合伽玛分布的退化模型的最小平均费用率,结论证明该模型的正确性和有效性。     

隶属度信息辅助的红外多目标模糊关联算法

针对红外多目标跟踪,利用红外序列图像中目标隶属度信息建立改进的多目标关联算法。该算法是基于模糊c均值聚类方法,以红外目标运动状态和背景环境变化引起的红外目标隶属度信息变化为选择门限,适时切换算法赋值策略,以提高特殊环境下多目标关联的适应性。通过仿真对比证明了该方法具有更好的跟踪精度和稳定性。     

某型导弹自动测试设备数据采集系统的设计与实现

给出某型导弹自动测试设备中数据采集系统的设计方案,对系统设计中通道放大器、数据采集控制、双端口RAM等关键问题做了较详细的分析。     

PAI-CAD/CAM 模型及实现技术研究

本文根据敏捷制造与动态联盟将制造系统空间扩展到全国乃至全球,传统的用于产品开发的ＣＡＤ／ＣＡＭ系统已无法满足动态联盟条件下的产品开发要求,必须开发一种新的ＣＡＤ／ＣＡＭ系统才能满足这一要求。笔者根据国际ＣＡＤ／ＣＡＭ发展趋势,结合我国具体国情,在传统的ＣＡＤ／ＣＡＭ基础上提出了“ＰＡＩ－ＣＡＤ／ＣＡＭ（Ｐｓｅｕｄｏ－ＡｇｉｌｅＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＣＡＤ／ＣＡＭ）”的新概念,并建立了一种系统模型,此外,文章还对系统的实现技术进行了深入的探讨。     

聚亚苯基硼的合成及表征研究

用改进的有机金属路线合成了聚对亚苯基硼和聚间亚苯基硼。聚对亚苯基硼的分子量（Ｍｎ）为７８３．６６,结构为（１）（可溶于乙醚,苯环为对位取代）和（２）（不溶于乙醚,苯环对位取代）;聚间亚苯基硼的Ｍｎ为８７６．５６,结构为（１）（可溶于乙醚,苯环间位取代）和（２）（不溶于乙醚,苯环间位取代）。     

高功率微波对YBCO超导材料的改性

用固相反应法制备了123相YBCO超导块材。利用超导电性（Tc）测量、扫描电镜（SEM）等方法研究了高功率微波加载及退火处理对YBCO样品的影响。电阻－温度关系曲线表明,处理后的样品在超导起始转变温度Tco≈90K处由半导体型向超导转变,超导转变宽度△T增大。SEM结果显示,晶粒大大细化。作者认为,由于高功率微波对样品的瞬时高压作用,在样品中引入了阻碍磁通蠕动的钉扎中心,同时,退火处理改善了晶粒之间的弱连接,为提高临界电流密度Jc创造了条件。