定子磁钢轨道拼接错位对动圈式永磁直线电机性能的影响

陆基车载无人机电磁弹射器是一种新型的弹射起飞装置。为了实现高机动性,提出双边动圈式永磁直流直线电机和定子磁钢轨道分段拼接结构方案。为了评估定子磁钢轨道拼接可能对电机性能的影响,建立了永磁直线电机模型。利用有限元分析软件,分析研究了轨道分段拼接上下错位、左右错位以及倾斜错位可能造成的影响,根据分析结果给出了磁钢轨道拼接错位所允许的偏移范围大小。     

初始误差和制导工具误差估计的非线性方法

准确估计初始误差和制导工具误差是机动发射飞行器精度鉴定必须解决的重要问题之一,提出了一种基于非线性模型的误差估计新方法。给出了平台初始失准角向定向误差的转换方法,采用不动点迭代法实现真实视加速度的精确计算,将真实发射系的轨道参数表示为初始误差和工具误差的非线性函数,结合外测数据建立了同时估计初始误差、工具误差、外测系统误差、遥外测时间零点偏差的非线性模型,避免了初始误差的线性化近似。给出了Bayes极大后验估计方法,利用非线性模型和先验信息获得误差的最优估计,证明了估计方法的收敛性。仿真结果表明,所提方法提高了初始误差和工具误差的估计精度,并实现了测量数据的自校准。     

玻璃纤维增强复合材料的损伤分析

本文对玻璃纤维增强复合材料层合板进行了拉、剪多向应力本构关系的实验研究,成功地用软x射线照相观察到材料内部微裂纹沿纤维方向近似均匀分布,并沿裂纹面扩展至破坏的损伤形貌,同时结合声发射技术等监测其扩展规律。在此基础上建立了基于微观机制的微裂纹损伤模型,预测材料的损伤非线性本构关系和破坏,以及实验观察到的一些复合材料特有的损伤现象,理论预测结果与实验值吻合。     

可组合仿真模型的语义形式描述及组合判定方法

如何判定仿真组件之间是否可组合是组合仿真中的关键问题之一.建立了组合判定问题的参考模型,基于Hoare逻辑给出仿真模型语义的描述方法,并以此为基础通过构造模型语义之间的组合匹配规则,从组合相容性及可替换性两个方面刻画模型的可组合性质.形成语义层次的组合判定方法;对组合相容性与可替换性质之间的关系进行了分析.     

寿命分布的参数Bootstrap拟合优度检验方法

拟合优度检验在统计和可靠性等领域具有非常重要的地位,基于参数Bootstrap重采样的思想,对未知参数的常用寿命分布进行拟合优度检验。数值仿真结果表明,相对于传统的经验分布函数检验,这种基于参数Bootstrap的拟合优度检验具有更高的功效,特别是在小样本的情况下,优势明显。     

强激光照射下双层壳体温度场的数值模拟

运用有限元法对强激光照射下双层壳体的温度场进行了数值模拟。详细分析了在激光功率一定的情况下,外层壳体的热传导系数、比热和厚度的变化对内层壳体温升的影响。计算中考虑了内层壳体的热损耗效应。此外,根据材料参数的温度相关性,分析了内层壳体材料参数随温度的变化特性对其温升效应的影响,并将计算结果与强激光照射下单层壳体的温度场进行了比较,得到一些有意义的结论。     

知识库推理和维护系统 (KBIMS)

赋予知识库自动推理和维护功能,从而使知识库有效和实用,是知识库面临的关键问题。本文提出了一程基于缺言推理的知识库自动推理和维护方法,并介绍了根据此方法,在VAX—Ⅰ/780上使用GKD—Prolog 作为工具实现的一个知识库推理和维护系统。     

众核处理器访存链路接口的FPGA验证

面向众核处理器提出一种访存链路接口的现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)验证平台,用于对处理器访存链路关键部件进行功能及可靠性测试。提出片上读写激励自动产生与检查机制、以太网接口硬件用户数据报协议(User Datagram Protocol,UDP)协议栈和FPGA芯片间多通道并行链路三项关键技术并进行设计实现。实验结果表明提出的各项关键技术功能正确,不仅丰富了功能验证中随机激励产生及结果验证的手段,而且实现了对链路数据检错和多lane间延迟偏斜纠正逻辑的可靠性测试与评估。经过该平台验证的访存链路接口在实际芯片中通过了功能正确性测试,证明了验证的有效性。     

利用月球转向技术施行逆行轨道卫星发射的能量讨论

本文讨论和估算了利用月球做为转向星体发射逆行轨道卫星的能量和轨道参数。结果表明:在共面发射时,只有发射轨道半径3万公里以上的逆行轨道卫星,利用月球发射才比直接发射节省能量,且逆行轨道越高,所节省的能量越多。而不共面发射时,所节省的能量比共面发射时多。     

炉温对化学气相沉积SiC涂层组成及显微结构的影响

采用SEM、EDX、XRD测试手段对沉积炉壁产物进行了分析,结果表明:低温区沉积的SiC涂层全为β SiC;高温区SiC涂层中含有少量的游离态Si和α SiC;高温区SiC颗粒的形核和生长速率大于低温区;所以温度是影响化学气相沉积SiC涂层组成及显微结构的主要因素。