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241.
聚能效应在销毁大中口径未爆弹中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
分析现阶段销毁未爆弹的现状和爆炸法在销毁未爆弹过程中的不足;通过研究大中口径未爆弹的弹壳厚度、壳体材料及装药种类等性能和结构参数,再根据聚能效应产生金属射流的特性,论证其销毁大中口径未爆弹的可行性,并利用某型破甲弹作为爆炸源进行实弹销毁试验,效果良好. 相似文献
242.
在GTEM室中用正弦连续波对某导弹装备上的1块数字控制电路进行电磁辐照,在30 V/m的场强下,引入的电磁骚扰还未导致被监测的与非门产生错误反转时,产生控制信号的自激多谐振荡器却受到了严重的电磁干扰。用计算机对此干扰进行仿真分析,并最后提出方波控制信号产生电路的电磁加固措施。 相似文献
243.
研究了中子弹核爆炸战场毁伤效应估算的数学模型,给出了基本参数、瞬时参数、地面放射性沾染、通过和停留剂量以及目标毁伤估算的数学模型。 相似文献
244.
樊自建 《国防科技大学学报》2015,37(5)
运用冲击波理论,对横向效应增强型弹丸(Penetration with Enhanced Lateral Efficiency,PELE)侵穿金属靶板的机理进行了分析,将PELE侵彻过程中能量损失分为外壳撞击靶板区域环形塞块获得的能量,内芯撞击靶板区域塞块获得的能量,冲击波影响范围内外壳和内芯增加的内能,外壳前端外沿和内沿对靶板冲塞剪切耗能等几部分,给出了确定这些能量的计算方法;并依据能量守恒原理,给出了PELE正撞金属薄靶板靶后剩余速度的近似计算公式。公式计算结果与多种条件下实验结果均吻合较好。分析计算所得各能量损失结果表明,弹体内芯材料的变化对弹体侵彻能力的影响较小;侵彻中靶板塞块获得的能量在弹体侵彻动能损失中比重最大;外壳前端内沿对靶板的剪切能耗对弹体动能损失的影响可以忽略。 相似文献
245.
针对标准铺层拉伸-剪切耦合层合板耦合效应弱的缺点,提出利用优化法的自由铺层拉伸-剪切耦合层合板的设计方法。推导了只具有拉伸-剪切耦合效应的层合板应满足的条件。优化得到了7~14层的自由铺层拉伸-剪切耦合对称层合板。对比分析了自由与标准铺层拉伸-剪切耦合层合板的屈曲强度与稳定性。采用自由铺层拉伸-剪切耦合层合板设计了拉伸-扭转耦合结构。研究表明:自由铺层的拉伸-剪切耦合层合板的屈曲强度以及稳定性要显著弱于标准铺层层合板,但具有更强的耦合效应;随着层数的增加,自由铺层的拉伸-剪切耦合层合板的最大耦合效应逐渐减小。 相似文献
246.
多弯头管道磁致伸缩导波无损检测技术 总被引:2,自引:0,他引:2
为了研究超声导波在弯管中的传播特性及检测可行性,使用磁致伸缩导波仪器及传感器对多弯头管道进行了检测实验,并对弯管中导波的传播速度、模态转换、能量衰减等现象进行了探讨。结果表明:当弯管弯曲程度较小时,弯管中导波传播速度与直管中近似;弯管中导波存在明显的模态转换现象;弯管中导波能量随着时间近似呈指数形式衰减,且衰减规律与激励频率存在密切联系。该研究结果可以为复杂结构弯曲管道的导波检测提供参考。 相似文献
247.
梅花型布置双排抗滑桩合理桩位研究 总被引:1,自引:0,他引:1
结合滑坡推力作用下梅花型布置双排抗滑桩成拱机理对其合理桩位进行研究。参考前人对单排桩合理桩间距的研究成果,运用理论推导和数值模拟得到相邻前后排桩桩间土拱跨度的控制表达式。同时,考察了桩间距和桩排距对土拱效应的影响,并绘制了lx′-ly′区间分布图。利用双排桩在滑坡上的有效影响面积,结合区间分布图推导出合理的桩间距和桩排距。结果表明,合理的桩间距和桩排距能够使前后排桩桩间形成直接土拱,并催生间接土拱,进而使前后排桩相互配合,共同起到支挡作用。 相似文献
248.
陈阳阳 《兵团教育学院学报》2023,(4):22-29
对于贫穷落后地区家长在社会分层日益凸显的背景下对子代教育期望过低的问题,使用2010年的“中国家庭追踪调查”数据和多层线性模型对家庭教育期望展开研究。研究发现高的家庭社会经济地位和积极的家庭教育价值观都对提升家庭教育期望有显著的促进作用,地区经济发展水平对家庭教育期望存在负向的影响,而地区文化资本不仅对家庭教育期望存在正向的影响,同时还在家庭社会经济地位和家庭教育价值观影响家庭教育期望时存在调节效应。为了促进乡村教育振兴和教育公平,政府部门不仅要从地区经济均衡发展的角度优化地区间的教育资源配置,更要关注地区间文化资本上的差异,打破贫困认知在贫穷落后地区的聚集和循环。 相似文献
249.
基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 相似文献
250.