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91.
城市是进行特种作战、爆发恐怖活动和突发性事件并影响地区稳定的重要地域,信息化时代的今天,以无人机倾斜摄影测量为代表的新测绘技术突飞猛进,为建立实景三维城市战场带来契机,从城市战场环境作战需求出发,介绍了无人机倾斜摄影测量技术和城市战场实景三维建模流程,基于Context Capture获得了逼真、高精度的城市三维模型,结合LocaSpace Viewer实现了城市战场要素标绘、量测、通视、可视域、雷达等可视化分析,实验成果证明了方法可行性和有效性,突破了传统二维地图的视觉和量测上的局限,为指挥员分析利用地形、指挥决策提供重要参考. 相似文献
92.
常规试验方法对于弹上电子功能部件热可靠性的分析验证,不仅所需周期长、代价大,而且容易受到试验设备及人员素质的限制,往往导致数据数量和质量的双重折扣.为此,基于ANSYS对借助于贴片式电子元器件改造的电子功能部件进行热可靠性仿真预计.通过设置不同的环境温度,模拟电子功能部件服役期不同的工作状态,并结合失效率预计模型,计算关键元器件服役期内3种阶段的热失效率,实现对于改造的电子功能部件的热可靠性预计,同时利用加速退化试验验证其准确性.仿真结果表明,热可靠度为0.9834,远大于规定的服役期热可靠标准,印证了贴片式电子元器件应用的可行性. 相似文献
93.
利用航空摄影测量技术建立真三维场景模型的技术特点和基本原理,在武警部队参与大型活动中应用的成功案例,提出了航测真三维建模技术可为部队执勤、处突、反恐、抢险救灾等任务提供有力的技术支撑。 相似文献
94.
95.
为深入理解和分析电站凝结水泵性能,采用计算流体力学方法(CFD)对其内部复杂的三维流场进行了数值模拟与分析.首先,建立了某三级凝结水泵各部件几何模型,并对其进行网格划分.通过求解RANS方程对凝结水泵内部三维流场进行数值求解,湍流流动采用SST模型进行模拟.计算得到该泵若干工况下的扬程和功率等性能参数和泵内部流动特征,计算结果与试验数据吻合很好.模拟结果及分析表明:采用CFD方法模拟结构复杂的凝结水泵内部流动和进行性能预报是可行的.通过内流场分析还发现导叶体等部件的设计有可改进之处. 相似文献
96.
针对基于雷达散射截面(RCS)规避雷达威胁的飞行轨迹优化问题,提出了低可探测性三维轨迹优化的求解方法.通过B样条拟合构建连续可微的RCS数据模型,结合三维飞行动力学模型,建立规避雷达威胁下的飞行运动控制模型.将轨迹优化问题描述成为最优控制问题,其中飞行姿态控制、轨迹约束、边界条件作为约束条件,以降低雷达探测概率和减少飞行时间为目标函数.运用高斯伪谱法( GPM)将连续的最优控制问题转换为离散的非线性规划问题进行求解.仿真结果证明本文方法实现了求解单基地雷达和双基地雷达探测环境中低可探测性三维轨迹优化问题,有效降低了飞行过程中的雷达探测概率和暴露时间. 相似文献
97.
通过在桩-土界面设置接触面,选用合理的单元类型,建立了较为符合压入桩压桩实际的三维有限元模型。利用得到的有限元模型,采用单元生死技术对压入桩压桩过程进行了数值模拟,讨论了成层地基压桩过程中桩周土体的竖向应力及应变随压桩深度的动态变化。选用桩型为钢管桩,分析结果表明:随着压桩深度的增加,桩内桩周土体的竖向应力(或应变)一直表现为压应力(或压应变),且逐渐增大;桩外桩周土体的竖向应力(或应变)逐渐由压应力(或压应变)变为拉应力(或拉应变)。随着压桩深度的增加,桩内桩周土体前3层竖向应力(或应变)的变化幅度基本一致,第4层的变化幅度增大;桩外桩周土体每2层土之间的差异都较大。 相似文献
98.
文章着重介绍了我国防弹衣的发展状况及其现行高分子材料--Kevlar和高分子聚乙烯材料在防弹衣制造上的应用,同时对国内防弹衣改进理论提出了科学的分析和可行性报告。 相似文献
99.
为了减少调制带宽、抑制带外杂散,通信系统中通常在发射端设置脉冲成形滤波器,而为了获得最大信噪比,在接收端通常使用匹配滤波器。以半带滤波器为基础,利用多级级联方法,设计了一种新型的脉冲成形滤波器,通过最小、最大相位分解方法,使得滤波器便于在实际通信系统中的使用。仿真结果表明,设计的成形滤波器与升余弦滚降滤波器相比,通带起伏小,硬件资源耗费少,在低信噪比时对不同调制方式均有额外的功率增益。 相似文献
100.
首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。 相似文献