基于RCS的三维低可探测性轨迹优化方法

针对基于雷达散射截面(RCS)规避雷达威胁的飞行轨迹优化问题,提出了低可探测性三维轨迹优化的求解方法.通过B样条拟合构建连续可微的RCS数据模型,结合三维飞行动力学模型,建立规避雷达威胁下的飞行运动控制模型.将轨迹优化问题描述成为最优控制问题,其中飞行姿态控制、轨迹约束、边界条件作为约束条件,以降低雷达探测概率和减少飞行时间为目标函数.运用高斯伪谱法( GPM)将连续的最优控制问题转换为离散的非线性规划问题进行求解.仿真结果证明本文方法实现了求解单基地雷达和双基地雷达探测环境中低可探测性三维轨迹优化问题,有效降低了飞行过程中的雷达探测概率和暴露时间.     

成层地基中压入法沉桩引起的桩周土体变形分析

通过在桩-土界面设置接触面,选用合理的单元类型,建立了较为符合压入桩压桩实际的三维有限元模型。利用得到的有限元模型,采用单元生死技术对压入桩压桩过程进行了数值模拟,讨论了成层地基压桩过程中桩周土体的竖向应力及应变随压桩深度的动态变化。选用桩型为钢管桩,分析结果表明:随着压桩深度的增加,桩内桩周土体的竖向应力(或应变)一直表现为压应力(或压应变),且逐渐增大;桩外桩周土体的竖向应力(或应变)逐渐由压应力(或压应变)变为拉应力(或拉应变)。随着压桩深度的增加,桩内桩周土体前3层竖向应力(或应变)的变化幅度基本一致,第4层的变化幅度增大;桩外桩周土体每2层土之间的差异都较大。     

防弹衣的发展状况及改进理论可行性分析

文章着重介绍了我国防弹衣的发展状况及其现行高分子材料--Kevlar和高分子聚乙烯材料在防弹衣制造上的应用,同时对国内防弹衣改进理论提出了科学的分析和可行性报告。     

一种抗比例变化的影像图与矢量数据匹配方法

由于矢量图匹配中涉及比例变化的匹配算法较少,提出了一种抗小比例变化的影像图与矢量图匹配方法。该方法先对遥感影像进行特征提取,然后与GIS矢量数据进行由局部到整体的动态规划匹配。具体过程为先进行点匹配,寻求坐标变换,再进行线匹配,求得线间Hausdorff距离最小为最优匹配。仿真实例表明该方法能够准确地匹配,并抗比例变化,可行性高。     

联合特征累积分析的压缩域运动对象检测

依据H.264压缩域中能够反映景物运动变化的MV和DCT系数特征,本文提出了一种多特征联合累积分析的压缩域运动对象检测方法。该方法对压缩码流中各宏块的运动信息进行时空域滤波,并使用雅克比矩阵描述全局运动参数和宏块MV之间的关系,简化参数求解过程,通过比较局部运动和全局运动之间的差异初步检测运动对象;选取宏块周围可靠的运动特征用于宏块DCT系数能量的投影累积,并通过熵能原理在压缩域中选取各个宏块的自适应阈值,检测运动对象的边缘及纹理显著区域;通过一定的逻辑准则将MV和DCT系数的检测结果结合起来,最终检测出视频中运动对象。实验结果表明,本文算法可准确地检测压缩视频中的运动对象,且检测结果具有较高的查全率和查准率。     

一种分析有阻尼受迫振动的新方法：——旋转矢量法

介绍了一种分析有阻尼受迫振动的新方法——旋转矢量法,通过简单运算,得出了各种必要的结论,并从能量转化与守恒方面,分析了振幅共振与速度共振频率不等的原因。     

使战机如虎添翼的推力矢量控制技术

推力矢量控制技术也称为推力转向技术。它是指改变发动机的喷气流喷射方向以控制飞行器运动的一种技术。这种技术早在40年代初已经使用,不过是用在火箭上,而不是飞机上。例如第二次世界大战后期德国轰炸英国伦敦的V-2火箭就已经在火箭喷口处装有可控折流片,利用喷气流的偏转来操纵火箭的飞     

永磁同步电机在数字炮控系统中的应用研究

从坦克现装备改造的实际需要出发,采用矢量控制方法,设计了以高性能单片机87C196MC为控制核心,以第3代智能功率模块(IPM)为逆变器主体的数字化永磁同步电动机(PMSM)调速系统。在电流环中采用PI调节器使定子电流跟踪给定电流,用双边对称的规则采样法生成正弦脉宽调制波(SPWM),将速度环设计成典型的Ⅱ型系统。     

平面应变问题岩土应力滑移线场的讨论

利用特征线方程求出两种应力滑移线方程,并给出均匀应力场和简单应力场。与以前不同的是,简单应力场有两种表达形式：一种是α线与β线具有不同极点,另一种是α线与β线具有同一极点,即扇形应力场。按新的应力滑移线场形式,分析了Prandtl解,并求得跟以前一样的极限承载力。     

65纳米工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估

首先搭建了3D SRAM软错误分析平台,可以快速、自动分析多层die堆叠结构3D SRAM的软错误特性。此平台集成了多种层次模拟软件Geant4、TCAD、Nanosim,数据记录处理软件ROOT,版图处理软件Calibre,以及用于任务链接和结果分析的Perl和shell脚本。利用该平台,对以字线划分设计的3D SRAM和同等规模的2D SRAM分别进行软错误分析,并对分析结果进行了对比。对比分析表明2D 和3D SRAM的翻转截面几乎相同,但3D SRAM单个字中发生的软错误要比2D SRAM更严重,导致难以使用ECC技术对其进行加固。静态模式下2D SRAM和3D SRAM敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。