石墨炉原子吸收光谱中氯化物对锡的干扰机理研究

利用从石墨管两端进样的方式,根据气相中氯化物分子吸收信号的变化研究了氯化物对测定锡的干扰机理。结果表明,氯化物对锡的干扰主要是由于在气相生成了ＳｎＣｌ,以及凝相中生成了ＳｎＣｌ２两者挥发损失因而造成干扰。使用铜加抗坏血酸的二元混合物作测锡的基体改进剂可消除干扰。     

高阻抗高共模抑制减法器研究

为了满足各种测量系统的需要,本文对提高减法器输入阻抗和共模抑制能力,保证运算精度进行了讨论,并给出相应的电路。     

边带抑制式低载频调频通讯系统初探

为了改进有广播和通讯系统的不足,本文初步探讨了边带抑制式窄调频通讯系统方案,并对边频恢复做了数学推证。     

雷达模拟信号系统的谐波抑制和脉冲产生

本文是雷达模拟信号系统研制完成后所做的一点探讨,文中着重讨论了混频器、功率放大器等部分的谐波抑制以及程控调制脉冲序列的产生两个问题。     

干扰解耦的鲁棒性

本文基于系统的状态空间模型,对于利用动态输出反馈,完成干扰解耦的情形,给出了鲁棒干扰解耦的条件。     

1.8V供电8.2ppm/℃的0.18μm CMOS带隙基准源

带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性。CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,"发射极-基极"通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降。此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强。针对上述两个问题,分别提出了自适应的"发射极-基极"电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案。基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在-55℃~150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB。     

考虑互耦修正的共形天线阵方向图综合研究

基于建立的双层背腔微带天线共形阵模型,提出了一种改进的互耦修正投影法,并成功用于该类共形阵列的方向图综合。通过引入包含空间位置信息的广义阵元方向图概念,完成了对阵元激励幅相的同步求解;将阵元有源方向图思想与最小二乘法结合,简化了互耦系数矩阵的提取;综合过程计入了阵元相位方向图的贡献,使该方法的可靠性显著提高,阵列综合结果与全波分析结果的完全吻合,验证了该方法的正确性。