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221.
国外过滤式防毒面具滤毒罐的发展概况 总被引:1,自引:0,他引:1
作为个体防护器材的一个重要的组件,过滤式防毒面具滤毒罐多年来得到了不断的发展和完善。详细地介绍了近年来国外过滤式防毒面具滤毒罐的研究、发展和定型情况以及其今后的发展趋势. 相似文献
222.
日本战败投降撤退时将大量的化学武器遗弃在中国境内,并未向中国做任何交代,这些化学武器在新中国成立后的社会主义生产和建设中陆续被发现,严重的危害和影响中国人民的生命安全和生态环境,为弄清事实真相,解决战争遗留问题,认真开展了对日本化学武器的鉴别研究,着重阐述了对日本遗弃在华化学武器主要是对日本化学弹药、毒烟筒和毒剂的鉴别方法和技术。 相似文献
223.
随着防化装备性能的提高,防化装备的结构也越来越复杂,这样给研制带来一系列的新问题,在研制阶段,运用系统工程的方法,以系统分析和设计为中心,按照一定目标来全面权衡,综合优化,注重装备的“优生”和“优育”。 相似文献
224.
采用SEM、EDX、XRD测试手段对沉积炉壁产物进行了分析,结果表明:低温区沉积的SiC涂层全为β SiC;高温区SiC涂层中含有少量的游离态Si和α SiC;高温区SiC颗粒的形核和生长速率大于低温区;所以温度是影响化学气相沉积SiC涂层组成及显微结构的主要因素。 相似文献
225.
采用对圆柱展向局部电加热的方式,在水槽中实验研究了临界/亚临界雷诺数圆柱尾流的绝对不稳定性.利用可控电加热改变圆柱表面温度分布,对二维圆柱绕流引入局部三维扰动,观察其对于临界/亚临界雷诺数圆柱尾流稳定性的影响.研究表明,在临界雷诺数状态,圆柱绕流尾流具有绝对不稳定性;在亚临界雷诺数状态,圆柱绕流尾流则是对流不稳定的.加热圆柱展向局部涡脱落存在锁频现象. 相似文献
226.
227.
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究.研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低晟终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大.研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据. 相似文献
228.
针对多孔介质中人工合成水合物分布不均匀问题,提出采用微波加热法制备多孔介质水合物样品的新途径,并设计了专用微波加热装置。基于电磁场理论及微波加热均匀性影响因素分析,设计了多馈源可调式波导加热系统。通过数值模拟和加热试验分析馈能口与样品间相对位置变化对装置加热均匀性影响,探讨该装置用于水合物样品制备的可行性。结果表明:装置加热均匀性受馈能口与样品间相对位置影响较大,其加热均匀性随二者间距的增加而显著提高,数值模拟与试验结果取得了较好的一致性;加热时间对装置的加热均匀性影响较小,该微波加热装置可满足制备均匀分布水合物样品的要求,同时对于其他对加热均匀性有一定要求的试验装置的设计具有参考意义。 相似文献
229.
230.
微流控化学芯片目前正成为环境监测的研究热点,而将电化学检测器集成在微流控芯片上是实现芯片实验室最有效途径之一.利用自制集成电导检测微流控化学芯片测定了土壤中铁总含量,讨论了影响土壤中铁总含量测定的多个因素,同时用原子吸收光谱法验证了测定结果的准确性.该结果为实现微型全分析系统整体集成和样品现场分析奠定了一定的理论与实验基础. 相似文献